[发明专利]一种含高介电系数介质块的HEMT器件有效
| 申请号： | 201811293318.8 | 申请日： | 2018-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN109461774B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 罗谦;孟思远;文厚东;姜玄青 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 含高介电 系数 介质 hemt 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种含高介电系数介质块的HEMT器件，包括衬底(1)、缓冲层(2)、势垒层(3)、栅极(4)、源极(5)和漏极(6)，所述衬底(1)上依次设置缓冲层(2)和势垒层(3)，所述势垒层(3)与缓冲层(2)接触的界面处形成二维导电沟道(9)；
所述源极(5)和漏极(6)分别设置在所述HEMT器件两侧且均与所述二维导电沟道(9)形成欧姆接触；
所述源极(5)与漏极(6)之间设置所述栅极(4)，且所述栅极(4)位于所述势垒层(3)上与所述势垒层(3)形成肖特基接触；
其特征在于，所述势垒层(3)上位于栅极(4)与漏极(6)之间的区域设置有多个高介电系数介质块(7)，所述多个高介电系数介质块(7)分别与所述栅极(4)连接并沿栅漏方向延伸，所述栅极(4)与所述多个高介电系数介质块(7)形成梳指状结构，所述高介电系数介质块(7)与所述漏极(6)不直接接触，所述高介电系数介质块(7)的介电系数大于所述势垒层(3)的介电系数。
2.根据权利要求1所述的含高介电系数介质块的HEMT器件，其特征在于，所述多个高介电系数介质块(7)之间填充绝缘介质(8)。
3.根据权利要求2所述的含高介电系数介质块的HEMT器件，其特征在于，所述绝缘介质(8)向所述漏极(6)方向延伸，在所述高介电系数介质块(7)与漏极(6)之间的区域部分或全部填充绝缘介质(8)。
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