[发明专利]反应腔室、原子层沉积方法及半导体加工设备

权利要求书

1.一种反应腔室，包括腔室本体，其特征在于，还包括第一抽气管路和分子泵，其中，所述第一抽气管路的一端与所述腔室本体连接，所述第一抽气管路的另一端与所述分子泵的进气口连接，所述分子泵用于通过所述第一抽气管路将所述腔室本体抽真空至第一预设真空度。

2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，还包括第二抽气管路和干泵，其中，所述第二抽气管路的一端与所述腔室本体连接，所述第二抽气管路的另一端与所述干泵的进气口连接，所述干泵用于通过所述第二抽气管路将所述腔室本体抽真空至第二预设真空度。

3.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述第一预设真空度的取值范围为小于3×10^-7托。

4.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述第二预设真空度的取值范围为0.1毫托-10毫托。

5.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，还包括进气管路和第二吹扫管路，其中，所述进气管路的一端与所述第二吹扫管路连接，所述进气管路的另一端与所述腔室本体连接，所述进气管路用于向所述腔室本体内通入工艺气体，所述第二吹扫管路用于向所述进气管路和所述腔室本体内通入吹扫气体。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的反应腔室，其特征在于，所述第一抽气管路上设有控制阀，所述控制阀用于控制所述腔室本体和所述分子泵之间的通断。

7.一种原子层沉积方法，其特征在于，在工艺开始前进行预吹扫的步骤，所述预吹扫包括以下步骤：

S1、通过第一吹扫管路和第二吹扫管路共同向腔室本体内通入吹扫气体第一预设时间；

S2、利用干泵将所述腔室本体抽真空至第二预设真空度，并利用分子泵将所述腔室本体抽真空至第一预设真空度；

S3、判断所述步骤S1和S2的循环次数是否达到预设循环次数，是则开始执行工艺，否则返回所述步骤S1。

8.根据权利要求7所述的原子层沉积方法，其特征在于，所述步骤S1中还包括：将其中一种前驱体直接通入所述干泵中吹扫第二预设时间，所述前驱体包括NH₃。

9.根据权利要求7所述的原子层沉积方法，其特征在于，所述步骤S3中，开始执行工艺后，控制阀呈关闭状态。

10.一种半导体加工设备，其特征在于，包括权利要求1-6任意一项所述的反应腔室，其中，所述反应腔室包括第一抽气管路和分子泵，所述分子泵通过所述第一抽气管路将腔室本体抽真空至第一预设真空度。