[发明专利]谐振腔结构和半导体处理设备

权利要求书

1.一种谐振腔结构，其特征在于，包括：

谐振腔体；

保护壳体，罩设在所述谐振腔体的外部；

第一支撑件，与所述保护壳体内壁固定连接；

第二支撑件，与所述谐振腔体外壁固定连接，位于所述第一支撑件的上方，并可与所述第一支撑件相重叠，以在所述第一支撑件的带动下升降；

定位件，沿所述第二支撑件的升降方向同时贯穿所述第一支撑件与所述第二支撑件，以定位所述第一支撑件与所述第二支撑件。

2.根据权利要求1所述的谐振腔结构，其特征在于，所述第一支撑件自所述保护壳体的内周壁向所述谐振腔体的外周壁延伸第一预设长度，所述第二支撑件自所述谐振腔体的外周壁向所述保护壳体的内周壁延伸第二预设长度。

3.根据权利要求1所述的谐振腔结构，其特征在于，所述第一支撑件上设置有贯穿其厚度的第一安装孔；

所述第二支撑件上设置有贯穿其厚度的第二安装孔，所述第二安装孔与所述第一安装孔同轴设置；

所述定位件穿设在所述第一安装孔和所述第二安装孔中。

4.根据权利要求3所述的谐振腔结构，其特征在于，所述定位件朝向所述第二支撑件的一侧设置有第一倒角结构，所述第二安装孔朝向所述第一安装孔的一端设置有第二倒角结构，所述第二倒角结构与所述第一倒角结构相适配，以引导所述定位件顺利穿入所述第二支撑件中。

5.根据权利要求1所述的谐振腔结构，其特征在于，所述谐振腔结构还包括调节组件，在所述第一支撑件与所述第二支撑件下降的过程中，所述调节组件能够限定所述第一支撑件的下降行程和/或对所述第二支撑件施加下压力。

6.根据权利要求5所述的谐振腔结构，其特征在于，所述调节组件包括第一调节螺母，旋设在所述定位件背离所述第一支撑件的端部，以通过调节所述第一调节螺母的旋入量，改变所述第一支撑件的下降行程。

7.根据权利要求6所述的谐振腔结构，其特征在于，所述调节组件还包括第二调节螺母和弹性件；其中，

所述第二调节螺母旋设在所述定位件背离所述第二支撑件的端部；

所述弹性件夹设在所述第二调节螺母与所述第一支撑件之间，并分别与所述第二调节螺母和所述第一支撑件抵接；

通过调节所述第二调节螺母的旋入量，改变所述弹性件施加至所述第一调节螺母上的作用力，以改变所述第一调节螺母施加至所述谐振腔体上的下压力。

8.根据权利要求7所述的谐振腔结构，其特征在于，所述弹性件包括弹簧或橡胶块。

9.根据权利要求1至8中任意一项所述的谐振腔结构，其特征在于，所述第一支撑件和所述第二支撑件的数量均为多个，每个所述第一支撑件对应一个所述第二支撑件；

多个所述第一支撑件均匀分布在所述保护壳体的内周壁上；

多个所述第二支撑件均匀分布在所述谐振腔体的外周壁上。

10.根据权利要求9所述的谐振腔结构，其特征在于，所述保护壳体的内周壁的各拐角处均设置有所述第一支撑件；

所述谐振腔体的外周壁的各拐角处均设置有所述第二支撑件。

11.一种半导体处理设备，其特征在于，包括权利要求1至10中任意一项所述的谐振腔结构。

12.根据权利要求11所述的半导体处理设备，其特征在于，还包括反应腔体、真空腔体、第一弹性电磁屏蔽环和第二弹性电磁屏蔽环；其中，

所述谐振腔体与所述真空腔体连接，且在所述谐振腔体与所述真空腔体之间设置有所述第一弹性电磁屏蔽环；

所述保护壳体与所述反应腔体连接，且在所述保护壳体与所述反应腔体之间设置有所述第二弹性电磁屏蔽环。