[发明专利]气体供给系统及气体供给方法有效
申请号: | 201811294307.1 | 申请日: | 2018-11-01 |
公开(公告)号: | CN109755157B | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 泽地淳;纲仓纪彦 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G05D7/06 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 房永峰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 气体 供给 系统 方法 | ||
1.一种气体供给系统,向基板处理装置的处理容器内的处理空间供给气体,该气体供给系统具备:
第1流路,与第1气体的第1气源连接,且形成于构成所述处理容器的顶棚的顶棚部件的内部或所述处理容器的侧壁的内部,具有被供给所述第1气体的供给口及排出所述第1气体的排气口,且从所述供给口延伸至所述排气口;
多个第1气体排出孔,连通所述第1流路与所述处理空间;
第2流路,与第2气体的第2气源连接,且形成于所述顶棚部件的内部或所述处理容器的侧壁的内部;
多个第2气体排出孔,连通所述第2流路与所述处理空间;
多个第1隔膜阀,各第1隔膜阀在所述第1流路与所述第1气体排出孔之间与所述第1气体排出孔对应地设置;
控制阀,设置于所述供给口的上游,且将向所述供给口供给的所述第1气体控制成规定压力;
多个第1节流孔,各第1节流孔在所述第1流路与所述第1气体排出孔之间与所述第1气体排出孔对应地设置;
第1控制器,使所述控制阀及所述多个第1隔膜阀动作;
第1压力检测器,在所述控制阀与所述供给口之间的流路中,检测所述第1气体的压力;及
第2压力检测器,检测从所述排气口排气的所述第1气体的压力,
各第1隔膜阀控制从所述第1节流孔的出口向第1气体排出孔供给的所述第1气体的供给定时,
所述控制阀根据所述第1压力检测器的检测结果,控制所述第1气体的压力,
所述第1控制器根据所述第1压力检测器的检测结果及所述第2压力检测器的检测结果,计算各第1节流孔的配置位置的所述第1气体的压力,并根据所述压力的计算结果,控制基于各第1隔膜阀的所述第1气体的供给定时。
2.如权利要求1所述的气体供给系统,还具备:
排气用节流孔,设置于所述第1流路的所述排气口。
3.如权利要求1或2所述的气体供给系统,还具备:
温度检测器,检测所述第1流路中的所述第1气体的温度,
所述控制阀根据所述温度检测器的检测结果,控制所述第1气体的流量。
4.如权利要求1或2所述的气体供给系统,其中,
所述第1隔膜阀各自具有驱动隔膜的压电元件,
该气体供给系统还具备:
检测器,测量所述压电元件各自的位移量,
所述第1控制器将所述位移量作为参数,控制所述第1隔膜阀的开度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造