[发明专利]晶圆堆叠方法与晶圆堆叠结构

权利要求书

1.一种晶圆堆叠方法，其特征在于，包括：

提供第一晶圆，所述第一晶圆的上表面包括设置为连接于第一信号的第一焊盘；

在所述第一晶圆上制作第一重布线层，所述第一重布线层包括电连接于所述第一焊盘的第一布线，所述第一布线包括第一引线垫；

将第二晶圆键合于所述第一重布线层上，所述第二晶圆包括设置为连接所述第一信号且位置对应于所述第一焊盘的第二焊盘；

对所述第二晶圆对应于所述第一引线垫的位置制作底部连接于所述第一引线垫的第一硅通孔；

在所述第二晶圆上制作第二重布线层以连接所述第二焊盘和所述第一硅通孔并形成第二引线垫。

2.如权利要求1所述的晶圆堆叠方法，其特征在于，所述制作底部连接于所述第一引线垫的第一硅通孔包括：

在所述第二晶圆对应于所述第一引线垫的位置制作贯通孔，所述贯通孔的底部露出所述第一引线垫；

填充导电材料于所述贯通孔，所述导电材料包括金属。

3.如权利要求2所述的晶圆堆叠方法，其特征在于，在制作所述贯通孔的过程中，同时制作用于形成第二重布线层的凹槽。

4.一种晶圆堆叠结构，其特征在于，包括：

第一晶圆，上表面包括设置为连接第一信号的第一焊盘；

第一重布线层，位于所述第一晶圆之上，包括电连接于所述第一焊盘的第一布线，所述第一布线包括第一引线垫；

第二晶圆，底面键合于所述第一重布线层，上表面包括设置为连接所述第一信号且位置对应于所述第一焊盘的第二焊盘和底部电连接于所述第一引线垫的第一硅通孔；

第二重布线层，位于所述第二晶圆之上，包括电连接于所述第一硅通孔和所述第二焊盘的第二布线，所述第二布线包括第二引线垫。

5.一种芯片堆叠方法，其特征在于，包括：

提供如权利要求4所述的晶圆堆叠结构；

对所述晶圆堆叠结构进行划片切割，以形成预设数量个芯片。

6.一种芯片堆叠结构，其特征在于，包括：

第一芯片，上表面包括设置为连接第一信号的第一焊盘；

第一重布线层，位于所述第一芯片之上，包括电连接于所述第一焊盘的第一布线，所述第一布线包括第一引线垫；

第二芯片，底面键合于所述第一重布线层，上表面包括设置为连接所述第一信号且位置对应于所述第一焊盘的第二焊盘和底部电连接于所述第一引线垫的第一硅通孔；

第二重布线层，位于所述第二芯片之上，包括电连接于所述第一硅通孔和所述第二焊盘的第二布线，所述第二布线包括第二引线垫。

7.一种晶圆堆叠方法，其特征在于，包括：

提供第一晶圆，所述第一晶圆包括设置为连接于第一信号的第一焊盘；

在所述第一晶圆上顺次制作第一下重布线层和第一上重布线层，所述第一下重布线层包括电连接于所述第一焊盘的第一布线，所述第一上重布线层包括电连接于所述第一布线的第二布线，所述第二布线包括第一引线垫；

将第二晶圆键合于所述第一上重布线层上，所述第二晶圆包括设置为连接所述第一信号且位置对应于所述第一焊盘的第二焊盘；

对所述第二晶圆对应于所述第一引线垫的位置制作底部连接于所述第一引线垫的第一硅通孔；

在所述第二晶圆上制作两个重布线层以连接所述第二焊盘和所述第一硅通孔并形成第二引线垫。

8.如权利要求7所述的晶圆堆叠方法，其特征在于，所述制作底部连接于所述第一引线垫的第一硅通孔包括：

在所述第二晶圆对应于所述第一引线垫的位置制作贯通孔，所述贯通孔的底部露出所述第一引线垫；

填充导电材料于所述贯通孔，所述导电材料包括金属。

9.如权利要求8所述的晶圆堆叠方法，其特征在于，在制作所述贯通孔的过程中，同时制作用于形成第二下重布线层的凹槽。