[发明专利]一种碲化镉薄膜太阳能电池组件的制作方法

权利要求书

1.一种碲化镉薄膜太阳能电池组件的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：

(1)在玻璃衬底上依次沉积好透明导电氧化膜层、光吸收层后，进行激光P1刻划，通过激光刻蚀透明导电氧化膜层和光吸收层，然后在P1刻划的刻线槽内填充负性光刻胶；P1刻划后，电池基板上的子电池关于基板中线对称，共负极结构的P1刻线条数为双数，共正极结构的P1刻线条数为单数；

(2)光刻胶工艺完毕后，进行P2刻划，通过激光刻蚀透明导电氧化膜层和光吸收层，P2刻划具体为：以P1刻划的刻线为基础线，在离基础线50-100μm的距离刻蚀P2激光刻线；

(3)P2刻划完成后，在光吸收层上沉积背电极层，然后进行P3刻划，通过激光刻蚀背电极层和光吸收层膜厚的一半，P3刻划具体为：以P2刻划的刻线为基础线，在离基础线50-100μm的距离刻蚀P3激光刻线；

(4)P3刻划完毕后，根据接线盒的个数贴敷引流条和汇流条，通过背板及胶膜进行封装，完成碲化镉薄膜太阳能电池组件的制作；

其中，所述共正极结构的中间位置的P1刻线旁不刻蚀P2刻线，中间位置的P1刻线旁或中间位置的P2刻线旁不刻蚀P3刻线。

2.根据权利要求1所述的一种碲化镉薄膜太阳能电池组件的制作方法，其特征在于：所述P1刻划的激光采用波长为355nm或1064nm的激光。

3.根据权利要求1所述的一种碲化镉薄膜太阳能电池组件的制作方法，其特征在于：所述P2刻划的激光采用波长为532nm的激光。

4.根据权利要求1所述的一种碲化镉薄膜太阳能电池组件的制作方法，其特征在于：所述P3刻划的激光采用波长为532nm的激光。

5.根据权利要求1所述的一种碲化镉薄膜太阳能电池组件的制作方法，其特征在于：所述光吸收层的沉积方法采用近距离升华法。

6.根据权利要求1所述的一种碲化镉薄膜太阳能电池组件的制作方法，其特征在于：所述背电极层的沉积方法采用磁控溅射法或电子束蒸发法。

7.根据权利要求1所述的一种碲化镉薄膜太阳能电池组件的制作方法，其特征在于：所述背电极层的材料选自钼或镍。