[发明专利]一种用于NAND闪存数据的迭代差错控制方法和装置

权利要求书

1.一种用于NAND闪存数据的迭代差错控制方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

步骤A、读写控制器通过预设的参考电压对NAND闪存中各单元的门限电压值进行读取；

步骤B、读写控制器根据所读取的门限电压值进行硬判决译码；

步骤C、判断是否正确译码，如果是，则执行步骤M；否则，执行步骤D；

步骤D、读写控制器根据所读取的门限电压值，使用初始基准概率密度函数计算似然比软值；

步骤E、将当前的似然比软值输入迭代译码器进行一次迭代的软判决译码，并对译码结果进行硬判决；

步骤F、判断是否正确译码，如果是，则执行步骤M；否则，执行步骤G；

步骤G、判断当前的迭代译码次数是否为预设的迭代译码次数，如果是，则执行步骤J；否则，执行步骤H；

步骤H、将硬判决后的值输入到概率密度函数估计器，所述概率密度函数估计器根据读写控制器所读取的门限电压值以及当前硬判决的值计算得到概率密度函数，并将计算得到的概率密度函数作为当前的概率密度函数；

步骤I、根据所读取的门限电压值，使用当前的概率密度函数计算得到似然比软值，将计算得到的似然比软值作为当前的似然比软值，并将当前的迭代译码次数加一；返回执行步骤E；

步骤J、判断当前的参考电压级数是否为预设的最大参考电压级数，如果是，则执行步骤M；否则，执行步骤K；

步骤K、将当前的参考电压的级数增加一级，再使用增加后的参考电压对NAND闪存中各单元的门限电压值进行读取；

步骤L、根据所读取的门限电压值以及初始基准概率密度函数计算得到当前的似然比软值；返回执行步骤E；

步骤M、输出译码结果作为读出数据。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述概率密度函数估计器采用基于核函数的估计方法来计算得到概率密度函数。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述初始基准概率密度函数为高斯分布函数，或者为是通过从NAND闪存中读取的先验信息计算或者推导出来的概率分布函数。

4.一种用于NAND闪存数据的迭代差错控制的装置，其特征在于，该装置包括：读写控制器、迭代译码器和概率密度函数估计器；

所述读写控制器，用于通过预设的参考电压对NAND闪存中各单元的门限电压值进行读取，根据所读取的门限电压值进行硬判决译码；当正确译码时，输出译码结果作为读出数据；当译码不正确时，根据所读取的门限电压值，使用初始基准概率密度函数计算似然比软值，将当前的似然比软值输入迭代译码器；

所述迭代译码器，用于根据当前的似然比软值进行一次迭代的软判决译码，并对译码结果进行硬判决，判断是否正确译码；当正确译码时，输出译码结果作为读出数据；当译码不正确时，判断当前的迭代译码次数是否为预设的迭代译码次数；如果否，则将硬判决后的值输入到概率密度函数估计器；如果是，则判断当前的参考电压级数是否为预设的最大参考电压级数；如果当前的参考电压级数为预设的最大参考电压级数，则输出译码结果作为读出数据；如果当前的参考电压级数不是预设的最大参考电压级数，则将当前的参考电压的级数增加一级，再将增加后的参考电压输出至所述读写控制器，使得所述读写控制器使用增加后的参考电压对NAND闪存中各单元的门限电压值进行读取，并根据所读取的门限电压值以及初始基准概率密度函数计算得到当前的似然比软值，再将当前的似然比软值输入迭代译码器；

所述概率密度函数估计器，用于根据读写控制器所读取的门限电压值以及当前硬判决的值计算得到概率密度函数，并将计算得到的概率密度函数作为当前的概率密度函数；再将当前的概率密度函数输出至所述读写控制器，使得所述读写控制器根据所读取的门限电压值，使用当前的概率密度函数计算得到似然比软值，将计算得到的似然比软值作为当前的似然比软值，并将当前的迭代译码次数加一，然后将当前的似然比软值和次数加一后的迭代译码次数作为当前的迭代译码次数输出至所述迭代译码器。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于：

所述概率密度函数估计器采用基于核函数的估计方法来计算得到概率密度函数。

6.根据权利要求4所述的装置，其特征在于：

所述初始基准概率密度函数为高斯分布函数，或者为是通过从NAND闪存中读取的先验信息计算或者推导出来的概率分布函数。