[发明专利]锡酸镉透明导电膜、碲化镉电池制备方法及薄膜太阳电池

权利要求书

1.一种锡酸镉透明导电膜制备方法，其特征在于，包括：

在玻璃基板表面制备导电膜层，所述导电膜层包括掺杂有杂质的锡酸镉非晶薄膜层、催化剂层；

对所述玻璃基板进行退火，以得到锡酸镉透明导电膜；其中，所述锡酸镉透明导电膜中的锡酸镉晶粒的尺寸在5-50nm范围内；

在玻璃基板表面制备导电膜层之前，还包括：

在所述玻璃基板的表面沉积粘结层；

掺杂有杂质的锡酸镉非晶薄膜层位于所述粘结层的上表面、且所述催化剂层位于掺杂有杂质的锡酸镉非晶薄膜层的上表面；

或者所述催化剂层位于所述粘结层的上表面、且掺杂有杂质的锡酸镉非晶薄膜层位于所述催化剂层的上表面；

或者掺杂有杂质的锡酸镉非晶薄膜层位于所述粘结层的上表面、且所述催化剂层位于掺杂有杂质的锡酸镉非晶薄膜层之间；

所述催化剂层中所包含的催化剂为金属催化剂；其中，所述金属催化剂的厚度在10-15nm范围内。

2.根据权利要求1所述的锡酸镉透明导电膜制备方法，其特征在于，所述金属催化剂具体为Al、Ni、Ti中的任意一种或任意多种组合所构成的合金。

3.根据权利要求1所述的锡酸镉透明导电膜制备方法，其特征在于，所述锡酸镉非晶薄膜层中所掺杂的杂质为Ga。

4.根据权利要求3所述的锡酸镉透明导电膜制备方法，其特征在于，在玻璃基板表面制备导电膜层，包括：

利用磁控溅射在所述玻璃基板表面制备所述导电膜层；

其中，在溅射掺杂有杂质的锡酸镉非晶薄膜时，所用靶材中Cd与Sn的原子比为1.8-2.2，Ga的摩尔比为0.1-1％。

5.一种薄膜太阳电池，其特征在于，包括透明导电膜层、n型半导体、p型半导体、背电极，其中，所述透明导电膜层为利用如权利要求1至4任一项所述的锡酸镉透明导电膜制备方法所制备出的锡酸镉透明导电膜。

6.根据权利要求5所述的薄膜太阳电池，其特征在于，所述薄膜太阳电池包括碲化镉电池。

7.一种碲化镉电池制备方法，其特征在于，包括：

在玻璃基板表面沉积粘结层，并在所述粘结层表面制备导电膜层，所述导电膜层包括掺杂有杂质的锡酸镉非晶薄膜层、催化剂层；其中，掺杂有杂质的锡酸镉非晶薄膜层位于所述粘结层的上表面、且所述催化剂层位于掺杂有杂质的锡酸镉非晶薄膜层的上表面；或者所述催化剂层位于所述粘结层的上表面、且掺杂有杂质的锡酸镉非晶薄膜层位于所述催化剂层的上表面；或者掺杂有杂质的锡酸镉非晶薄膜层位于所述粘结层的上表面、且所述催化剂层位于掺杂有杂质的锡酸镉非晶薄膜层之间；其中，所述锡酸镉透明导电膜中的锡酸镉晶粒的尺寸在5-50nm范围内；所述催化剂层中所包含的催化剂为金属催化剂；其中，所述金属催化剂的厚度在10-15nm范围内；

在所述导电膜层表面沉积透明导电膜缓冲层；

通过磁控溅射或气相输运沉积法在所述透明导电膜缓冲层表面沉积硫化镉层；

通过气相输运沉积法或近空间升华沉积法在所述硫化镉层表面沉积碲化镉层；

在所述碲化镉层表面制备背电极层，以得到碲化镉电池。