[发明专利]一种硅抛光片缺陷的检测方法有效
| 申请号： | 201811296337.6 | 申请日： | 2018-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN109187580B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 孙强;徐伟;沈思情;柏友荣;陈猛 | 申请（专利权）人： | 上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/95 | 分类号： | G01N21/95 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 201616 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 抛光 缺陷 检测 方法 | ||
1.一种硅抛光片缺陷的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：在暗室环境中，将聚光光源垂直照射在预先清洗的硅抛光片上，从而检测硅抛光片缺陷，其中聚光光源的照度为40万-60万勒；
所述硅抛光片缺陷为晶体空洞型原生晶格微缺陷；在聚光灯垂直照射下，若发现硅晶片中心有盘状密集点阵分布的带色光线反射，说明硅晶片中心有空洞型原生晶格微缺陷；若发现硅晶片外周有环状密集点阵分布的带色光线反射，说明硅晶片外周有空洞型原生晶格微缺陷；若发现硅晶片中心与沿硅晶片外周同时有盘环状密集点阵分布的带色光线反射，则说明硅晶片整体有空洞型原生晶格微缺陷；
所述晶体空洞型原生晶格微缺陷的单个空洞缺陷超过0.15μm；
所述聚光光源照射光的颜色为白色或者黄色。
2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述聚光光源为聚光灯。
3.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，所述聚光灯为卤素灯、疝气灯或LED灯中的任意一种。
4.根据权利要求3所述的检测方法，其特征在于，所述卤素灯为碘钨灯或溴钨灯。
5.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述预先清洗是用氨水、双氧水和去离子超纯水的混合液对硅抛光片预先进行清洗。
6.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述硅晶片的厚度为100-1000μm。
7.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述硅晶片为硅晶圆抛光片。
8.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：在暗室环境中，将照度超过40万勒且照射光颜色为黄色或白色的聚光灯垂直照射在厚度为100-1000μm的且经过预先用氨水、双氧水和去离子超纯水的混合液清洗的硅晶圆抛光片上，从而检测硅抛光片的抛光雾缺陷或单个空洞缺陷超过0.15μm的空洞型原生晶格微缺陷。
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