[发明专利]用于高级集成电路结构制造的有源栅极上方接触结构

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

包括硅的鳍状物，所述鳍状物具有顶部和侧壁；

在所述鳍状物的顶部之上并与所述鳍状物的侧壁横向相邻的第一栅极电介质层和第二栅极电介质层；

第一栅极电极和第二栅极电极，分别在处于所述鳍状物的顶部之上并与所述第一鳍状物的侧壁横向相邻的所述第一栅极电介质层和所述第二栅极电介质层之上，所述第一栅极电极和所述第二栅极电极都具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，并且都具有绝缘帽，所述绝缘帽具有顶表面；

与所述第一栅极电极的第一侧相邻的第一电介质间隔体；

与所述第二栅极电极的第二侧相邻的第二电介质间隔体；

与所述第一电介质间隔体和所述第二电介质间隔体相邻的半导体源极或漏极区；

在与所述第一电介质间隔体和所述第二电介质间隔体相邻的所述半导体源极或漏极区之上的沟槽接触结构，所述沟槽接触结构包括导电结构上的绝缘帽，所述沟槽接触结构的绝缘帽具有与所述第一栅极电极和所述第二栅极电极的绝缘帽大体上共面的顶表面，并且所述沟槽接触结构的绝缘帽横向延伸到所述第一电介质间隔体和所述第二电介质间隔体中的凹陷中并悬置于所述沟槽接触结构的所述导电结构上方。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括：

在所述第一栅极电极的处于所述鳍状物的顶部之上的部分上并电连接到所述部分的导电通孔，所述导电通孔在所述第一栅极电极的绝缘帽中的开口中。

3.根据权利要求2所述的集成电路结构，其中，所述导电通孔在所述沟槽接触结构的绝缘帽的部分上但不电连接到所述沟槽接触结构的所述导电结构。

4.根据权利要求3所述的集成电路结构，其中，所述导电通孔在所述沟槽接触结构的绝缘帽的被腐蚀部分中。

5.根据权利要求2所述的集成电路结构，还包括：

在所述沟槽接触结构的部分上并电连接到所述部分的第二导电通孔，所述第二导电通孔在所述沟槽接触结构的绝缘帽的开口中。

6.根据权利要求5所述的集成电路结构，其中，所述第二导电通孔在所述第一栅极电极和所述第二栅极电极的绝缘帽的部分上但不电连接到所述第一栅极电极和所述第二栅极电极。

7.根据权利要求6所述的集成电路结构，其中，所述第二导电通孔在所述第一栅极电极和所述第二栅极电极的绝缘帽的被腐蚀部分中。

8.根据权利要求5所述的集成电路结构，其中，所述第二导电通孔与所述导电通孔隔离。

9.根据权利要求5所述的集成电路结构，其中，所述第二导电通孔与所述导电通孔融合。

10.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括：

在所述沟槽接触结构的部分上并电连接到所述部分的导电通孔，所述导电通孔在所述沟槽接触结构的绝缘帽的开口中。

11.根据权利要求10所述的集成电路结构，其中，所述导电通孔在所述第一栅极电极和所述第二栅极电极的绝缘帽的部分上但不电连接到所述第一栅极电极和所述第二栅极电极。

12.根据权利要求11所述的集成电路结构(1)，其中，所述导电通孔在所述第一栅极电极和所述第二栅极电极的绝缘帽之一或两者的被腐蚀部分中。

13.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述沟槽接触结构的绝缘帽具有与所述第一栅极电极和所述第二栅极电极的绝缘帽的组分不同的组分。

14.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一栅极电极和所述第二栅极电极的绝缘帽都具有与所述沟槽接触结构的绝缘帽的底表面大体上共面的底表面。