[发明专利]一种配向膜脱膜剂组合物及脱膜工艺

说明书

本发明公开了一种配向膜脱膜剂组合物，主要组成为碱性组分、非质子极性溶剂、有机醇溶剂和水，碱性组分中包含吗啉和/或具有吗啉环仲胺基团的吗啉衍生物。本发明配向膜脱膜剂组合物中引入了具有仲胺基团的吗啉和/或吗啉衍生物，吗啉分子结构中具有仲胺基团，因此其水溶液具有强碱性，可部分替代或者全部替代碱金属氢氧化物，降低脱膜剂组合物中的碱金属氢氧化物含量，不伤底层ITO及金属层；配向膜脱膜剂组合物中的水含量高，有助于提高配向膜脱膜过程中的的安全系数。本发明还公开了一种配向膜脱膜剂组合物的脱膜工艺。

技术领域

本发明涉及电子聚合物脱膜化学品技术领域，具体涉及一种配向膜脱膜剂组合物及脱膜工艺。

背景技术

配向膜又称液晶取向膜层，其材质为绝缘材料聚酰亚胺，起作用是为液晶分子提供一个有序排列的承载平台。PI膜是在CF或TFT基板上均匀的形成一层特定图案的膜层，经过摩擦的作用，使得这一层PI膜具有统一的取向和预倾角。CF或TFT基板生产过程中经常出现异常，通常需要将PI膜去除并重新镀膜的制程工艺，即PI-rework工艺。传统的PI-rework工艺使用干刻，利用He等离子体与O2等离子体轰击刻蚀PI膜，不仅成本昂贵，作业风险大，而且对设备要求也高。

改进的技术方案采用湿法脱膜，湿法脱膜的要求是去除基板表面的PI膜层，且不伤底层ITO层。如CN1693439A中所述的，采用含有机碱性化合物、一级醇类有机溶剂和具有醚基的二级和/或三级醇类的有机溶剂。上述有机溶剂具有较佳的铝耐腐蚀性，对于油分、指纹、树脂和微粒具有良好的去除能力。实施例中CN1693439A中碱的可选范围包括氢氧化钠、四丁基铵氢氧化物和四乙基铵氢氧化物，季铵盐作为脱膜剂组合物碱性组分的缺陷在于碱性虽强，但是N+结构四周为被-CH3包围，其空间位阻效应较大，而聚酰亚胺的结构自身空间位阻大，季铵盐碱性官能团攻击酰胺键的几率大大降低，影响分子反应活性，对于加热处理后的PI膜剥离效果较差。

因此，有必要对现有技术中的配向膜脱膜剂的组成进行改进。

发明内容

本发明的目的之一在于克服现有技术中存在的缺陷，提供一种配向膜脱膜剂组合物，将吗啉和/或具有仲胺的吗啉衍生物加入到组合物中作为碱性组分，利用吗啉水溶液的碱性、对含芳烃水解链段的溶解能力，使脱膜剂组合物对于配向膜具有良好的剥离性。

为实现上述目的，本发明的技术方案为：一种配向膜脱膜剂组合物，其特征在于，主要组成为碱性组分、非质子极性溶剂、有机醇溶剂和水，碱性组分中包含吗啉和/或具有吗啉环仲胺基团的吗啉衍生物。

优选的技术方案为，按重量百分比计，配向膜脱膜剂组合物中主要组成包括2～20％的碱性组分、10～40％的非质子极性溶剂、5～30％的有机醇溶剂、30～45％的水，配向膜脱膜剂组合物中添加剂的重量百分比为0.5～20％。组合物中水含量较大，配向膜脱膜剂组合物的储藏和运输过程中安全隐患少。

优选的技术方案为，吗啉衍生物为选自2-甲基吗啉、3-甲基吗啉、2，5-二甲基吗啉、2，6-二甲基吗啉和2，5，5-三甲基吗啉和中的一种或两种以上的组合。

优选的技术方案为，碱性组分中还包括碱金属氢氧化物、强碱弱酸盐、氨水、水合肼和季铵碱中的一种或两种以上的组合。

优选的技术方案为，非质子极性溶剂为选自N-甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜、二甲基甲酰胺和二甲基乙酰胺中的一种或两种以上的组合。

优选的技术方案为，碱性组分由碱金属氢氧化物与吗啉和/或吗啉衍生物组合而成，或者碱性组分由碱金属氢氧化物与吗啉和/或吗啉衍生物组合而成。

优选的技术方案为，有机醇溶剂为选自C2～C4且具有两个以上羟基的有机醇溶剂。

优选的技术方案为，碱性组分由碱金属氢氧化物、季铵碱与吗啉组合而成，碱性组分中碱金属氢氧化物、季铵碱与吗啉的重量之比为(2～3)：(2～3)：1。