[发明专利]离子检测装置及其制造方法、FAIMS系统

权利要求书

1.一种离子检测装置，具备，

离子过滤器，其中具备彼此对置的第一电极和第二电极；

离子检测电极，其与通过所述离子过滤器的通过离子发生碰撞；其特征在于，

所述离子检测电极具有彼此电绝缘第三电极和第四电极，所述第三电极和所述第四电极相互对置，

所述离子检测装置还具备：

第一绝缘体，其位于所述第一电极和所述第三电极之间，设置为将所述第一电极和所述第三电极电绝缘；

第二绝缘体，其位于所述第二电极和所述第四电极之间，设置为将所述第二电极和所述第四电极电绝缘，

第一SOI衬底，具备第一支撑层、第一绝缘层以及第一活性层；以及，

第二SOI衬底，具备第二支撑层、第二绝缘层以及第二活性层，所述第二支撑层与所述第一支撑层连接，

所述离子检测电极以所述第一活性层构成，

所述第一绝缘体和所述第二绝缘体以所述第一绝缘层以及所述第二绝缘层构成，

所述第一电极以及所述第二电极以所述第二活性层构成。

2.根据权利要求1所述的离子检测装置，其特征在于，所述第一绝缘体和所述第二绝缘体上设有在与所述通过离子的行进方向平行的方向上延伸的开口部。

3.根据权利要求1或2所述的离子检测装置，其特征在于，所述第一绝缘体和所述第二绝缘体具有100kV/mm以上的绝缘破坏强度。

4.根据权利要求3所述的离子检测装置，其特征在于，所述第一绝缘体和所述第二绝缘体各自具有SiO₂、Si₃N₄、Al₂O₃中任意一种材质的膜。

5.根据权利要求1或2所述的离子检测装置，其特征在于，

所述离子检测电极具备具有导电性的第一Si层，

所述第一电极和所述第二电极具备具有导电性的第二Si层，

所述第一绝缘体和所述第二绝缘体具有SiO₂膜。

6.一种根据权利要求1至5中任意一项所述的离子检测装置的制造方法，其特征在于，具备以下工序，

在具有支撑层、位于该支撑层上的绝缘层、以及位于该绝缘层上的活性层的SOI衬底中的所述活性层上，形成第一开口部，并将所述活性层一分为二的工序；

在所述支撑层上形成第二开口部的工序；

在所述绝缘层上形成第三开口部的工序，该第三开口部与所述第一开口部和所述第二开口部连接；

在所述第二开口部和所述第三开口部形成之后，将两块所述SOI衬底贴合起来的工序。

7.根据权利要求6所述的离子检测装置的制造方法，其特征在于，在将两块所述SOI衬底贴合起来的工序之前，具有减小所述支撑层厚度的工序。

8.一种场不对称波形离子迁移谱分析系统，其特征在于，具有，

权利要求1至5中任意一项所述的离子检测装置；

设置在所述离子检测装置的前部的离子发生部；以及，

用来检测所述离子检测电极发生的电流的离子电流检测部。