[发明专利]顶发光型量子点电致发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种顶发光型量子点电致发光二极管，其特征在于，包括相对设置的反射阳极和透明阴极，设置在所述反射阳极和所述透明阴极之间的量子点发光层，以及设置在所述量子点发光层和所述透明阴极之间的复合电子传输叠层；其中，所述复合电子传输叠层包括在所述量子点发光层和所述透明阴极之间设置的第一电子传输层，和在所述透明阴极和所述第一电子传输层之间设置的第二电子传输层，且所述第一电子传输层的材料中至少含有一种无机氧化物电子传输材料，所述第二电子传输层的材料中至少含有一种有机电子传输材料。

2.如权利要求1所述的顶发光型量子点电致发光二极管，其特征在于，所述无机氧化物电子传输材料选自氧化锌、氧化镁、氧化锡、氧化锌镁、氧化锌锡、氧化锌铝、氧化锌钙中的至少一种。

3.如权利要求2所述的顶发光型量子点电致发光二极管，其特征在于，所述有机电子传输材料选自8-羟基喹啉铝、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-联苯基)-1,3,4-噁二唑、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-菲罗啉、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑、4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯、2.5-双(5-叔丁基-2-苯并恶唑)噻吩、8-羟基喹啉锌、8-羟基喹啉镓、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝、ZnSPB、2-(4-联苯基)-5-苯基恶二唑、7 2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑的至少一种。

4.如权利要求1-3任一项所述的顶发光型量子点电致发光二极管，其特征在于，所述第二电子传输层的材料中含有掺杂剂。

5.如权利要求4所述的顶发光型量子点电致发光二极管，其特征在于，所述掺杂剂选自金属、金属无机盐、有机金属配合物中的至少一种。

6.如权利要求5所述的顶发光型量子点电致发光二极管，其特征在于，所述掺杂剂选自Li、LiF、8-羟基喹啉锂、NaF、Yb、Li₂CO₃、Rb₂CO₃、Cs₂CO₃中的至少一种。

7.如权利要求6所述的顶发光型量子点电致发光二极管，其特征在于，以所述第二传输层的材料的总质量为100％计，所述掺杂剂的重量百分含量为1％-80％。

8.如权利要求7所述的顶发光型量子点电致发光二极管，其特征在于，以所述第二传输层的材料的总质量为100％计，所述掺杂剂的重量百分含量为1％-50％。

9.如权利要求1-3任一项所述的顶发光型量子点电致发光二极管，其特征在于，所述透明阴极和所述第二电子传输层之间设置有阴极修饰层。

10.如权利要求9所述的顶发光型量子点电致发光二极管，其特征在于，所述阴极修饰层的材料选自金属单质、金属氟化物、金属氧化物中的至少一种。

11.如权利要求10所述的顶发光型量子点电致发光二极管，其特征在于，所述阴极修饰层的材料选自Ba、Ca、BaO、BaF₂、CaO、CaF₂、LiF、NaF、KF、CsF中的至少一种。

12.如权利要求2所述的顶发光型量子点电致发光二极管，其特征在于，所述无机氧化物电子传输材料的直径范围为2-20nm。

13.如权利要求1-3任一项所述的顶发光型量子点电致发光二极管，其特征在于，所述第一电子传输层的厚度为10-200nm；和/或

所述第二电子传输层的厚度为10-200nm。

14.一种顶发光型量子点电致发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供基板，在所述基板上制备反射阳极；

在所述反射阳极上制备量子点发光层；

在所述量子点发光层上制备第一电子传输层，在所述第一电子传输层上制备第二电子传输层，其中，所述第一电子传输层的材料中至少含有一种无机氧化物电子传输材料，所述第二电子传输层的材料中至少含有一种有机电子传输材料；

在所述第二电子传输层上制备透明阴极。