[发明专利]电致发光器件及其制备方法在审
申请号: | 201811299837.5 | 申请日: | 2018-11-02 |
公开(公告)号: | CN111146347A | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 谢相伟;黄航;苏亮;眭俊;李哲;付东 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56;H01L51/52 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 黄志云 |
地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种电致发光器件,其特征在于,包括基板,以及设置在所述基板上的至少一种量子点电致发光单元和至少一种有机电致发光单元,
所述量子点电致发光单元包括相对设置的第一阳极和第一阴极,设置在所述第一阳极和所述第一阴极之间的量子点发光层,以及设置在所述量子点发光层和所述第一阴极之间的第一电子传输层;
所述有机电致发光单元包括相对设置的第二阳极和第二阴极,设置在所述第二阳极和所述第二阴极之间的有机发光层,以及设置在所述有机发光层和所述第二阴极之间的第二电子传输层;
其中,所述第一阳极和所述第二阳极设置在所述基板上,或者所述第一阴极和所述第二阴极设置在所述基板上;
且所述第一阳极和所述第二阳极的材料相同或不同,所述第一阴极和所述第二阴极的材料相同或不同,所述第一电子传输层的材料选自交联型电子传输材料,所述第二电子传输层的材料选自交联型电子传输材料,且所述第一电子传输层与所述第二电子传输层的材料相同或不同。
2.如权利要求1所述的电致发光器件,其特征在于,所述交联型电子传输材料选自苯基吡啶类交联型电子传输材料、苯基苯并咪唑类交联型电子传输材料、三苯基膦类交联型电子传输材料、三氮唑类交联电子传输材料中的至少一种。
3.如权利要求2所述的电致发光器件,其特征在于,所述苯基吡啶类交联型电子传输材料选自下式结构化合物中的至少一种:
4.如权利要求1所述的电致发光器件,其特征在于,所述第一电子传输层的厚度为10-200nm。
5.如权利要求1所述的电致发光器件,其特征在于,所述第二电子传输层的厚度为10-200nm。
6.如权利要求1所述的电致发光器件,其特征在于,所述电致发光器件中,所述量子点电致发光单元包括红光量子点电致发光单元、绿光量子点电致发光单元,所述有机电致发光单元包括蓝光有机电致发光单元。
7.如权利要求6所述的电致发光器件,其特征在于,所述蓝光电致发光单元中的蓝色有机发光层的材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物。
8.如权利要求1-7任一项所述的电致发光器件,其特征在于,所述第一阳极和所述第二阳极相同,所述第一阴极和所述第二阴极相同。
9.如权利要求1-7任一项所述的电致发光器件,其特征在于,所述电致发光器件还包括用于分隔相邻发光单元的像素界定层。
10.一种电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供基板,在所述基板上制备阴极和像素界定层,形成以所述阴极为底、所述像素界定层围合形成的像素槽,预先设定量子点发光区域和有机发光区域;
在所述量子点发光区域的阴极表面沉积交联型电子传输材料,在惰性环境下加热处理,使所述交联型电子传输材料发生交联,制备第一电子传输层;在所述有机发光区域的阴极表面沉积交联型电子传输材料,在惰性环境下加热处理,使所述交联型电子传输材料发生交联,制备第二电子传输层;
在所述电子传输层表面制备发光层,在发光层上制备阳极,其中,在所述第一电子传输层上制备量子点发光层,在所述第二电子传输层上制备有机发光层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择