[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201811299911.3 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN109801851A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 竹本悟;芹泽和实 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李洋;王培超 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体元件 接合材料 导体 加热熔融 冷却工序 制造 半导体装置 导体接合 组装工序 接合 熔融 发热 对接合材料 流动电流 内部电阻 制造装置 发热体 电极 固化 加热 冷却 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置的制造方法，其中，具备：
组装工序，使半导体元件的电极与导体之间夹着会因热而熔融的接合材料；
加热熔融工序，向所述半导体元件流动电流，使所述半导体元件发热而使所述接合材料熔融；以及
冷却工序，停止所述电流，使所述接合材料冷却而固化。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
确定所述半导体元件的内部电阻与所述半导体元件的温度的关系，
在所述加热熔融工序中，基于所述关系而将所述半导体元件的温度调整为规定范围。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述半导体元件为晶体管，
在所述加热熔融工序中，一边向所述晶体管的栅极施加半导通电压，一边使电流在所述晶体管的第1电极与第2电极之间流动。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
在所述加热熔融工序中，向所述半导体元件施加规定的恒定电压，并在所述半导体元件流动的电流产生了变化的时刻停止电压施加。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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