[发明专利]数据储存方法、存储器控制电路单元以及存储器储存装置

说明书

本发明提供一种数据储存方法、存储器控制电路单元以及存储器储存装置。所述方法包括：接收第一数据；判断可复写式非易失性存储器模块的磨损程度值是否小于门槛值；当可复写式非易失性存储器模块的磨损程度值小于门槛值时，使用第一模式将第一数据储存至可复写式非易失性存储器模块中；以及当可复写式非易失性存储器模块的磨损程度值不小于门槛值时，使用第二模式将第一数据储存至可复写式非易失性存储器模块中。其中使用第一模式储存的第一数据的可靠度高于使用第二模式储存的第一数据的可靠度。

技术领域

本发明涉及一种数据储存方法、存储器控制电路单元以及存储器储存装置。

背景技术

数字相机、手机与MP3在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对储存媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器(rewritable non-volatile memory)具有数据非易失性、省电、体积小、无机械结构、读写速度快等特性，最适于可携式电子产品，例如笔记本电脑。固态硬盘就是一种以快闪存储器作为储存媒体的存储器储存装置。因此，近年快闪存储器产业成为电子产业中相当热门的一环。

依据每个存储单元可储存的比特数，反及(NAND)型快闪存储器可区分为单阶储存单元(Single Level Cell,SLC)NAND型快闪存储器、多阶储存单元(Multi Level Cell,MLC)NAND型快闪存储器与三阶储存单元(Trinary Level Cell,TLC)NAND型快闪存储器，其中SLC NAND型快闪存储器的每个存储单元可储存1个比特的数据(即，“1”与“0”)，MLC NAND型快闪存储器的每个存储单元可储存2个比特的数据并且TLC NAND型快闪存储器的每个存储单元可储存3个比特的数据。

在NAND型快闪存储器中，实体程序化单元是由排列在同一条字线上的数个存储单元所组成。由于SLC NAND型快闪存储器的每个存储单元可储存1个比特的数据，因此，在SLCNAND型快闪存储器中，排列在同一条字线上的数个存储单元是对应一个实体程序化单元。

相对于SLC NAND型快闪存储器来说，MLC NAND型快闪存储器的每个存储单元的浮动栅储存层可储存2个比特的数据，其中每一个储存状态(即，“11”、“10”、“01”与“00”)包括最低有效位(Least Significant Bit,LSB)以及最高有效位(Most Significant Bit,MSB)。例如，储存状态中从左侧算起的第1个比特的值为LSB，而从左侧算起的第2个比特的值为MSB。因此，排列在同一条字线上的数个存储单元可组成2个实体程序化单元，其中由此些存储单元的LSB所组成的实体程序化单元称为下实体程序化单元(low physicalprogramming unit)，并且由此些存储单元的MSB所组成的实体程序化单元称为上实体程序化单元(upper physical programming unit)。特别是，下实体程序化单元的写入速度会快于上实体程序化单元的写入速度，并且当程序化上实体程序化单元发生错误时，下实体程序化单元所储存的数据也可能因此遗失。

类似地，在TLC NAND型快闪存储器中的每个存储单元可储存3个比特的数据，其中每一个储存状态(即，“111”、“110”、“101”、“100”、“011”、“010”、“001”与“000”)包括从左侧算起的第1个比特的LSB、从左侧算起的第2个比特的中间有效位(Center SignificantBit,CSB)以及从左侧算起的第3个比特的MSB。因此，排列在同一条字线上的数个存储单元可组成3个实体程序化单元，其中由此些存储单元的LSB所组成的实体程序化单元称为下实体程序化单元，由此些存储单元的CSB所组成的实体程序化单元称为中实体程序化单元，并且由此些存储单元的MSB所组成的实体程序化单元称为上实体程序化单元。特别是，对排列在同一条字线上的数个存储单元进行程序化时，仅能选择仅程序化下实体程序化单元或者同时程序化下实体程序化单元、中实体程序化单元与上实体程序化单元，否则所储存的数据可能会遗失。