[发明专利]半导体存储器件

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

感测放大器，其适用于检测和放大数据线与取反数据线之间的电压电平差；

电压供应电路，其适用于响应于第一电压供应信号至第三电压供应信号和偏置控制信号而经由第一电压供应线至第三电压供应线将驱动电压施加到所述感测放大器；以及

电压供应控制电路，其适用于响应于激活信号来产生所述第一电压供应信号至所述第三电压供应信号和所述偏置控制信号，

其中，所述感测放大器通过接收所述驱动电压而被激活，

其中，所述电压供应电路响应于所述偏置控制信号而将第一负电压和第二负电压中的任意一个施加到所述第三电压供应线。

2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述感测放大器包括多个晶体管，所述第一电压供应线和所述第二电压供应线连接到所述晶体管中的每一个的漏极或源极，并且所述第三电压供应线连接到所述晶体管中的任意一个的反向偏置电压端子。

3.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述电压供应电路响应于所述第一电压供应信号和所述第二电压供应信号而将高电压和外部电压中的任意一个选择性地施加到所述第一电压供应线，以及，所述电压供应电路响应于所述第三电压供应信号而将接地电压施加到所述第二电压供应线。

4.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第二负电压具有高于所述第一负电压的电平。

5.如权利要求4所述的半导体存储器件，其中，当所述偏置控制信号被使能时，所述电压供应电路将所述第二负电压施加到所述第三电压供应线，以及当所述偏置控制信号被禁止时，所述电压供应电路将所述第一负电压施加到所述第三电压供应线。

6.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述电压供应控制电路在所述激活信号被使能时将所述第三电压供应信号使能，所述电压供应控制电路将所述偏置控制信号和所述第一电压供应信号使能设定的时间，并且所述电压供应控制电路在所述第一电压供应信号被禁止时将所述第二电压供应信号使能。

7.如权利要求6所述的半导体存储器件，其中，当所述激活信号被禁止时，所述电压供应控制电路将所述偏置控制信号使能设定的时间，以及将所述第二电压供应信号和所述第三电压供应信号禁止。

8.如权利要求7所述的半导体存储器件，其中，所述电压供应控制电路包括：

第一脉冲发生电路，其用于在所述激活信号被使能时产生第一脉冲；以及

第二脉冲发生电路，其用于在所述激活信号被禁止时产生第二脉冲，

其中，所述第一脉冲和所述第二脉冲被输出为所述偏置控制信号。

9.一种半导体存储器件，包括：

感测放大器，其包括多个晶体管；

电压供应控制电路，其用于响应于激活信号来产生偏置控制信号；以及

电压供应电路，其用于响应于所述偏置控制信号而向所述晶体管中的任意一个提供第一负电压和第二负电压中的任意一个作为反向偏置电压。

10.如权利要求9所述的半导体存储器件，其中，所述第二负电压具有高于所述第一负电压的电平。

11.如权利要求10所述的半导体存储器件，其中，所述电压供应控制电路在所述激活信号被使能和被禁止时产生以设定的时间被使能的所述偏置控制信号。

12.如权利要求11所述的半导体存储器件，其中，所述电压供应控制电路包括：

第一脉冲发生电路，其用于在所述激活信号被使能时产生第一脉冲；以及

第二脉冲发生电路，其用于在所述激活信号被禁止时产生第二脉冲，

其中，所述第一脉冲和所述第二脉冲被输出为所述偏置控制信号。