[发明专利]液体化学回收系统、供应系统和制造半导体装置的方法

说明书

提供了液体化学回收系统、液体化学供应系统和制造半导体装置的方法。液体化学回收系统包括：缓冲槽，从外部接收第一液体化学品；真空槽，具有连接至此的真空泵并使用真空泵从缓冲槽接收第一液体化学品；以及回收槽，从真空槽接收第一液体化学品并向外部提供作为回收的第一液体化学品的第二液体化学品，其中，缓冲槽包括提供第一液体化学品的第一注入部分以及将第一液体化学品提供到真空槽的第一供应部分，并且缓冲槽的底部朝向第一供应部分向下倾斜，以防止包含在第一液体化学品中的物质积累在缓冲槽中。

于2018年2月20日在韩国知识产权局提交的名称为“液体化学回收系统、液体化学供应系统和使用液体化学回收系统制造半导体装置的方法”的第10-2018-0019746号韩国专利申请通过引用全部包含于此。

技术领域

实施例涉及液体化学回收系统、液体化学供应系统和使用液体化学回收系统制造半导体装置的方法。

背景技术

随着半导体世代的更新，蚀刻设备的世代已经从批量式硅蚀刻设备转变为单晶片型蚀刻设备。

发明内容

实施例涉及一种液体化学回收系统，所述液体化学回收系统包括：缓冲槽，从外部接收第一液体化学品；真空槽，具有连接至此的真空泵并使用真空泵从缓冲槽接收第一液体化学品；以及回收槽，从真空槽接收第一液体化学品，并向外部提供作为回收的第一液体化学品的第二液体化学品，其中，缓冲槽包括提供第一液体化学品的第一注入部分以及将第一液体化学品提供到真空槽的第一供应部分，缓冲槽的底部朝向第一供应部分向下倾斜，以防止包含在第一液体化学品中的物质积累在缓冲槽中。

实施例也涉及一种液体化学供应系统，所述液体化学供应系统包括：第一储存槽，包括第一液位传感器并储存第一液体化学品；第二储存槽，包括第二液位传感器并储存第二液体化学品；主槽，连接到第一储存槽和第二储存槽，并接收第一液体化学品和第二液体化学品中的一个；工艺腔室，从主槽接收第一液体化学品和第二液体化学品中的一个，并且在其中执行湿法蚀刻工艺；缓冲槽，从工艺腔室接收在湿法蚀刻工艺中使用的第三液体化学品；以及真空槽，包括第三液位传感器并从缓冲槽接收第三液体化学品，其中，第三液体化学品沿着缓冲槽的倾斜表面被提供到真空槽，以防止包含在第三液体化学品中的物质积累在缓冲槽中。

实施例还涉及一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：提供包括第一薄膜的基底；通过对基底执行湿法蚀刻工艺去除第一薄膜的至少一部分，其中，湿法蚀刻工艺涉及使用液体化学回收系统，并且液体化学回收系统包括：缓冲槽，从工艺腔室接收第一液体化学品；真空槽，具有连接至此的真空泵，并使用真空泵并从缓冲槽接收第一液体化学品；以及回收槽，从真空槽接收第一液体化学品，并向工艺腔室提供作为回收的第一液体化学品的第二液体化学品，其中，缓冲槽包括提供第一液体化学品的第一注入部分和将第一液体化学品提供到真空槽的第一供应部分，并且缓冲槽的底部朝向第一供应部分向下倾斜，以防止包含在第一液体化学品中的物质积累在缓冲槽中。

附图说明

通过参照附图详细地描述示例实施例，特征对于本领域的技术人员而言将变得明显，在附图中：

图1示出了根据示例实施例的液体化学供应系统的示意图。

图2示出了根据示例实施例的液位传感器的示意图。

图3示出了根据示例实施例的在缓冲槽中析出的固体溶质的示意图。

图4示出了根据示例实施例的缓冲槽的剖视图。

图5示出了根据示例实施例的会在真空槽中发生的固体溶质的析出的剖视图。

图6示出了根据示例实施例的会在过滤器中发生的固体溶质的析出的剖视图。

图7示出了根据示例实施例的液位传感器的示意图。

图8A示出了根据示例实施例的液位传感器的示意图。