[发明专利]热电器件和用于形成热电器件的方法

说明书

公开了热电器件和用于形成热电器件的方法。该热电器件包括多个第一半导体台面结构，其具有第一导电性类型。此外，热电器件包括多个第二半导体台面结构，其具有第二导电性类型。多个第一半导体台面结构中的第一半导体台面结构和多个第二半导体台面结构中的第二半导体台面结构被串联电连接。热电器件进一步包括玻璃结构，其横向位于多个第一半导体台面结构中的第一半导体台面结构和多个第二半导体台面结构中的第二半导体台面结构之间。所述玻璃结构将多个第一半导体台面结构中的第一半导体台面结构与多个第二半导体台面结构中的第二半导体台面结构横向地电绝缘。

技术领域

示例涉及用于基于半导体的热电器件的概念，并且特别涉及热电器件和用于形成热电器件的方法。

背景技术

热电器件可以用于将温度差转换成电压，并且反之亦然。当热电器件的侧面处于不同的温度时，热电器件可以产生电压。相反，当电压施加到热电器件时，可以生成热电器件的侧面之间的温度差。热电器件可以被优化用于高转换效率和/或低制造成本。

发明内容

可以存在对于提供用于热电器件的改进的概念的需求。

一些实施例涉及热电器件。热电器件包括多个第一半导体台面（mesa）结构，其具有第一导电性类型。此外，热电器件包括多个第二半导体台面结构，其具有第二导电性类型。多个第一半导体台面结构中的第一半导体台面结构和多个第二半导体台面结构中的第二半导体台面结构被串联电连接。热电器件进一步包括玻璃结构，其横向（laterally）位于多个第一半导体台面结构中的第一半导体台面结构和多个第二半导体台面结构中的第二半导体台面结构之间。所述玻璃结构将多个第一半导体台面结构中的第一半导体台面结构与多个第二半导体台面结构中的第二半导体台面结构横向地电绝缘。

一些实施例涉及热电器件。热电器件包括多个第一半导体台面结构，其具有第一导电性类型。此外，热电器件包括多个第二半导体台面结构，其具有第二导电性类型。多个第二半导体台面结构中的第二半导体台面结构和多个第一半导体台面结构中的第一半导体台面结构在至少第一横向方向上交替布置。另外，位于在第一横向方向上最接近的多个第一半导体台面结构中的两个第一半导体台面结构之间的第一横向距离不同于位于在第二横向方向上最接近的多个第一半导体台面结构中的两个第一半导体台面结构之间的第二横向距离达多于第一横向距离的10%。

一些实施例涉及用于形成热电器件的方法。所述方法包括在第一半导体衬底处形成多个第一半导体台面结构。第一半导体衬底具有第一导电性类型。此外，所述方法包括在第二半导体衬底处形成多个第二半导体台面结构。第二半导体衬底具有第二导电性类型。所述方法还包括在第一半导体衬底与第二半导体衬底之间提供玻璃衬底。此外，所述方法包括将第一半导体衬底连接到第二半导体衬底，以使得玻璃衬底的至少一部分横向地位于多个第一半导体台面结构中的第一半导体台面结构与多个第二半导体台面结构中的第二半导体台面结构之间。

一些实施例涉及用于形成热电器件的方法。所述方法包括形成延伸到第一半导体衬底中的多个第一沟槽。多个第一沟槽中的第一沟槽沿第一横向方向延伸。另外，第一半导体衬底具有第一导电性类型。此外，所述方法包括形成延伸到第一半导体衬底中的多个第二沟槽。多个第二沟槽中的第二沟槽沿第二横向方向延伸以在第一半导体衬底处形成多个第一半导体台面结构。所述方法还包括形成延伸到第二半导体衬底中的多个第三沟槽。多个第三沟槽中的第三沟槽沿第三横向方向延伸。此外，第二半导体衬底具有第二导电性类型。另外，所述方法包括形成延伸到第二半导体衬底中的多个第四沟槽。多个第四沟槽中的第四沟槽沿第四横向方向延伸以在第二半导体衬底处形成多个第二半导体台面结构。所述方法此外包括将第一半导体衬底连接到第二半导体衬底。

附图说明

将在以下仅通过示例的方式，并且参考附图描述装置和/或方法的一些示例，其中

图1示出热电器件的一部分的示意性横截面；

图2示出另一个热电器件的一部分的示意性顶视图；