[发明专利]基于QLC NAND闪存的写操作配置方法、存储控制器及存储设备

权利要求书

1.基于QLC NAND闪存的写操作配置方法，其特征在于，包括步骤：将所述QLC NAND存储单元的16个电压区间采用4比特来表征，每一个比特位表征为一个页地址，使所述QLC NAND具有四个页地址；

采用编码规则对16个电压区间中各个电压区间进行二进制编码映射，根据二进制编码映射关系通过提升存储电压到特定的电压区间，实现基于四个页地址映射的多种不同的QLC NAND写操作；

对多种QLC NAND写操作进行配置，可以根据不同的数据存储需求选择匹配的QLC NAND写操作，实现对QLC NAND不同页中数据的写入存储。

2.如权利要求1所述的写操作配置方法，其特征在于，所述QLC NAND的四个页地址分别采用页0、页1、页2和页3表示，所述QLC NAND的单个存储单元存储的4比特数据分别采用比特0、比特1、比特2和比特3表示，所述QLC NAND写操作进行写数据存储时，对QLC NAND存储单元提升存储电压到所述的16个电压区间之一，完成4比特数据的存储。

3.如权利要求2所述的写操作配置方法，其特征在于，所述QLC NAND写操作包括以下八种类型：

写操作一：写数据操作先写入比特0数据到页0地址，再将比特1数据写入页1，接着将比特2数据写入到页2，最后将比特3数据写入到页3；

写操作二：写数据操作先写入比特0数据到页0地址，再同时将比特1数据和比特2数据写入到页2和页3，最后将比特3数据写入到页3；

写操作三：写数据操作先写入比特0数据到页0地址，再将比特1数据写入页1，接着将比特2数据和比特3数据同时写入到页2和页3；

写操作四：写数据操作先写入比特0数据到页0地址，再将比特1数据、比特2数据和比特3数据同时写入到页1、页2和页3；

写操作五：写数据操作先将比特0数据和比特1数据同时写入页0和页1，接着将比特2数据写入到页2，最后将比特3数据写入到页3；

写操作六：写数据操作先将比特0数据和比特1数据同时写入页0和页1，接着将比特2数据和比特3数据同时写入到页2和页3；

写操作七：写数据操作先将比特0数据、比特1数据和比特2数据同时写入页0、页1和页2，接着将比特3数据写入到页3；

写操作八：写数据操作将比特0数据、比特1数据、比特2数据和比特3数据同时写入页0、页1、页2和页3。

4.如权利要求1或3所述的写操作配置方法，其特征在于，还包括对每一种类型的QLCNAND写操作设置对应的写操作配置位，使固件根据不同需求输入不同的写操作配置位来调用相应的QLC NAND写操作，以实现对QLC NAND不同页中数据的写入存储。

5.一种基于QLC NAND闪存的存储控制器，所述QLC NAND存储单元的16个电压区间采用4比特来表征，每一个比特位表征为一个页地址，所述QLC NAND具有四个页地址，其特征在于，所述存储控制器中针对所述四个页地址配置有多种不同的QLC NAND写操作，且多种QLCNAND写操作可灵活配置，使所述存储控制器根据不同的数据存储需求选择匹配的QLC NAND写操作，以实现对QLC NAND不同页中数据的快速写入存储。

6.如权利要求5所述的存储控制器，其特征在于，所述16个电压区间中各个电压区间所对应的二进制编码映射规则为相邻电压区间的二进制编码仅有一位二进制数不同，以减小数据出错可能性。

7.如权利要求6所述的存储控制器，其特征在于，根据所述编码映射规则通过快速组合多个页中的需存储的数据，从而表征所述16个电压区间的电压，获得多种所述QLC NAND写操作。

8.如权利要求7所述的存储控制器，其特征在于，所述QLC NAND的四个页地址分别采用页0、页1、页2和页3表示，所述QLC NAND的单个存储单元存储的4比特数据分别采用比特0、比特1、比特2和比特3表示，所述QLC NAND写操作进行写数据存储时，对QLC NAND存储单元提升存储电压到所述的16个电压区间之一，完成4比特数据的存储。