[发明专利]用于修复有缺陷的串的方法和非易失性存储器器件

说明书

非易失性存储器器件可以用修复存储器块的替换串选择线替换连接到多个存储器块中的有缺陷的存储器块的有缺陷的串的缺陷串选择线；以及访问修复存储器块的替换串选择线而不是有缺陷的存储器块的缺陷串选择线。非易失性存储器器件以串选择线为单位执行修复操作，并且可以有效地使用修复资源。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年11月3日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0146180号的权益，其公开通过引用整体被并入本文。

技术领域

本发明构思的示例实施例涉及半导体存储器器件。例如，至少一些示例实施例涉及修复有缺陷的串的方法和/或用于修复有缺陷的串的非易失性存储器(non-volatilememory，NVM)器件。

背景技术

为了增加半导体存储器器件的集成度，正在进行对具有三维结构的存储器器件的研究。三维半导体存储器器件具有不同于常规二维半导体存储器器件的结构特征的结构特征。由于三维半导体存储器器件和二维半导体存储器器件之间的结构差异，正在进行对驱动三维半导体存储器器件的各种方法的研究。

为了三维非易失性存储器器件的有效管理或操作，需要能够支持修复有缺陷的存储器单元的操作的修复方法。

发明内容

本发明构思的示例实施例提供以串选择线为单位修复有缺陷的串的方法、用于以串选择线为单位修复有缺陷的串的非易失性存储器器件和/或存储器系统。

根据本发明构思的示例实施例，提供一种修复包括多个存储器块的非易失性存储器器件的有缺陷的串的方法，所述方法可以包括：用修复存储器块的替换串选择线替换连接到多个存储器块中的有缺陷的存储器块的有缺陷的串的缺陷串选择线；以及访问修复存储器块的替换串选择线而不是有缺陷的存储器块的缺陷串选择线。

根据本发明构思的另一示例实施例，提供一种非易失性存储器器件，包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器块，所述多个存储器块包括多个串，所述多个串每个包括连接到多个串选择线中的相同的一个串选择线的多个存储器单元；和控制器，其被配置为用修复存储器块的替换串选择线替换连接到多个存储器块中的有缺陷的存储器块的有缺陷的串的缺陷串选择线，所述缺陷串选择线是多个串选择线中的一个串选择线，并且有缺陷的存储器块是多个存储器块中的一个存储器块以及修复存储器块是多个存储器块中的一个存储器块。

根据本发明构思的另一示例实施例，提供一种包括存储器控制器的存储器系统；以及非易失性存储器器件，所述非易失性存储器器件包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器块，所述多个存储器块包括多个串，所述多个串每个包括连接到多个串选择线中的相同的一个串选择线的多个存储器单元；和控制器，其被配置为用修复存储器块的替换串选择线替换连接到多个存储器块中的有缺陷的存储器块的有缺陷的串的缺陷串选择线，所述缺陷串选择线是多个串选择线中的一个串选择线，并且有缺陷的存储器块是多个存储器块中的一个存储器块以及修复存储器块是多个存储器块中的一个存储器块。

附图说明

从结合附图的以下详细描述中将更清楚的理解本发明构思的示例实施例，其中：

图1是示出根据本发明构思的示例实施例的存储器系统的框图；

图2是示出图1的非易失性存储器器件的框图；

图3是图2的第一存储器块的等效电路图；

图4是示出图2的第一存储器块的示例的透视图；

图5A和图5B是示出修复有缺陷的串的公共块修复方法的视图；

图6A和图6B是示出根据本发明构思的示例实施例的以串选择线为单位修复有缺陷的串的方法的视图；

图7和图8是示出根据本发明构思的示例实施例的执行以串选择线为单位修复有缺陷的串的方法的非易失性存储器器件的操作的流程图；