[发明专利]体声波谐振器及其制造方法在审
| 申请号： | 201811301901.9 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN109546985A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 庞慰;郑云卓 | 申请（专利权）人： | 天津大学;诺思（天津）微系统有限责任公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H3/02;H03H3/007 |
| 代理公司： | 北京汉智嘉成知识产权代理有限公司 11682 | 代理人： | 姜劲;谷惠敏 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 体声波谐振器 声阻抗 硅衬底 制造 声波谐振器 谐振 横向传播 声波模式 依次布置 有效区域 底电极 顶电极 空气腔 内边缘 谐振器 压电层 种体 | ||
1.一种体声波谐振器，包括自下而上依次布置的硅衬底、底电极、压电层、顶电极，以及所述硅衬底中的空气腔，其特征在于，
所述体声波谐振器还包括横向声阻抗结构，所述横向声阻抗结构的内边缘位于所述体声波谐振器的谐振有效区域之外。
2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述横向声阻抗结构包括横向交替布置的高声阻抗结构和低声阻抗结构。
3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述横向声阻抗结构的材料是单一的高声阻抗材料或单一的低声阻抗材料。
4.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述横向声阻抗结构的材料与底电极或顶电极的材料相同。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的体声波谐振器，其特征在于，所述横向声阻抗结构的厚度小于或等于所述压电层厚度。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的体声波谐振器，其特征在于，所述横向声阻抗结构的宽度是1/4横向传播声波波长的奇数倍。
7.一种制造体声波谐振器的方法，其特征在于，包括：
在硅衬底上制作凹槽；
在所述凹槽中填充牺牲材料；
在所述硅衬底上制作底电极；
在所述底电极上制作横向声阻抗结构；
制作所述体声波谐振器的压电层；
在所述压电层表面制作顶电极；
去除所述牺牲材料，
其中，所述横向声阻抗结构的内边缘位于所述体声波谐振器的谐振有效区域之外。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，
所述横向声阻抗结构包括横向交替布置的高声阻抗结构和低声阻抗结构；或者，
所述横向声阻抗结构的材料是单一的高声阻抗材料或单一的低声阻抗材料。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，制作所述体声波谐振器的压电层的步骤包括：
在所述硅衬底和底电极上沉积压电层材料；
对所述压电层材料进行磨平以得到表面平整的压电层。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述横向声阻抗结构的厚度小于或等于所述压电层厚度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学;诺思（天津）微系统有限责任公司，未经天津大学;诺思（天津）微系统有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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