[发明专利]一种宽带双层圆极化微带阵列天线

权利要求书

1.一种宽带双层圆极化微带阵列天线，其特征在于，包括下层辐射层(1)、空气层(2)、上层辐射层(3)、(4)和金属外壳(5)，下层辐射层(1)包括第一介质基板和位于第一介质基板上表面的8个下层金属圆形贴片；上层辐射层(3)包括第二介质基板和位于第二介质基板上表面8个上层金属圆形贴片；上、下两层金属圆形贴片间采用旋转对称的馈电方式，第一介质基板下表面涂敷金属铜，并开设有8对放置同轴线的馈电孔；上层金属圆形贴片和下层金属圆形贴片同心放置，下层金属圆形贴片为激励单元，上层金属圆形贴片为寄生单元，所述两个金属圆形贴片形成两个谐振回路，二者间谐振频率一致。

2.如权利要求1所述的一种宽带双层圆极化微带阵列天线，其特征在于，馈电网络层(4)采用带状线结构的功分网络。

3.如权利要求2所述的一种宽带双层圆极化微带阵列天线，其特征在于，功分网络采用T型节等功率分配。

4.如权利要求1所述的一种宽带双层圆极化微带阵列天线，其特征在于，上层金属圆形贴片半径大于下层金属圆形贴片半径。

5.如权利要求4所述的一种宽带双层圆极化微带阵列天线，其特征在于，通过如下计算贴片半径：

f₀＝(f₀₁+f₀₂)/2 (1)

d_e1＝d₁,d_e2＝d₁+d₂+d₃ (4)

其中：下层辐射层第一介质基板厚度为d₁，介电常数为ε₁，空气层厚度为d₂，介电常数为ε₂；上层辐射层第二介质基板厚度为d₃，介电常数为ε₃，下层金属圆形贴片半径为r₁，上层圆形金属贴片半径为r₂；

天线工作中心频率为f₀，上下两层金属圆形贴片中激励单元和寄生单元的谐振频率分别为f₀₁和f₀₂，c为光速。

6.如权利要求1所述的一种宽带双层圆极化微带阵列天线，其特征在于，第一介质基板和第二介质基板间采用低介电常数的泡沫支撑。

7.如权利要求1所述的一种宽带双层圆极化微带阵列天线，其特征在于，天线同一单元两个馈电点正交，之间相位差为90度，实现天线的圆极化。

8.如权利要求1所述的一种宽带双层圆极化微带阵列天线，其特征在于，两行阵元间采用旋转对称的馈电方式，第一行天线单元馈电点相位为0°、90°，第二行天线单元馈电点相位为90°、180°。

9.如权利要求1所述的一种宽带双层圆极化微带阵列天线，其特征在于，由两行四列八阵元组成。

10.如权利要求1所述的一种宽带双层圆极化微带阵列天线，其特征在于，下层金属圆形贴片介电常数要不小于上层金属圆形贴片介电常数。