[发明专利]一种改良的碳化硅单晶生长装置及在碳化硅单晶生长中的应用有效
| 申请号： | 201811302533.X | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN109234803B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 梁晓亮;高超;李霞;宁秀秀;宗艳民 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/06 | 分类号： | C30B23/06;C30B29/36 |
| 代理公司： | 37232 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) | 代理人： | 赵长林<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 坩埚 碳化硅单晶 生长装置 气孔率 延长使用寿命 热量发生器 改良 封闭空间 双层坩埚 原料容器 原料组份 生长 保温层 晶体的 均匀性 可密封 密闭 申请 温场 应用 侵蚀 外部 | ||
1.一种改良的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述装置包括第一坩埚和第二坩埚，所述第二坩埚置于所述第一坩埚的内部；所述第二坩埚和第一坩埚之间形成密闭的间隙；所述第二坩埚的显气孔率大于第一坩埚的显气孔率；所述第二坩埚顶部设有可密封的盖，所述盖的最高点低于第一坩埚的最高点；所述第二坩埚的壁分为卡装部和传热部，所述卡装部设在第二坩埚的上部，所述卡装部与第一坩埚的内壁密封相连，所述传热部与第一坩埚的内壁之间设有间隙，所述间隙相对于外界密闭设置；所述第一坩埚的内壁上设有环状的支撑台，所述卡装部与支撑台抵接设置，在卡装部与支撑台之间设有用于调节高度的圆环。
2.根据权利要求1所述的一种改良的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述第二坩埚为石墨坩埚，所述第二坩埚的显气孔率为25％-29％。
3.根据权利要求1所述的一种改良的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，第二坩埚的底部和第一坩埚的底部导圆角设置。
4.根据权利要求1所述的一种改良的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述传热部与第一坩埚之间的距离为3mm-20mm。
5.根据权利要求4所述的一种改良的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述传热部与第一坩埚之间的距离为5mm-12mm。
6.根据权利要求1所述的一种改良的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述圆环为活动设置的石墨圆环。
7.根据权利要求1所述的一种改良的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述第二坩埚的厚度为7mm-12mm，第一坩埚的厚度为12mm-20mm。
8.如权利要求1-7任一所述的碳化硅单晶生长装置在碳化硅单晶生长中的应用。
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