[发明专利]一种碳化硅晶片的清洗方法有效
| 申请号： | 201811302593.1 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN109585268B | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 时文灵;梁庆瑞;王含冠;王瑞 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 陈曦 |
| 地址： | 250118 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶片 清洗 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅晶片的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法包括等离子清洗和湿法清洗的步骤，得到的所述碳化硅晶片表面颗粒总数为15-50个；
所述等离子清洗中的等离子气体为氢气；所述等离子清洗时的真空度为80Pa，所述等离子气体的气体流量为60sccm；
所述等离子气体清洗碳化硅晶片的时间为10min；
所述清洗碳化硅晶片的等离子设备的功率为600W；
所述湿法清洗步骤包括：SPM洗、水洗、APM洗、水洗、HPM洗、水洗、DHF洗、水洗和N2环境干燥。
2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述等离子清洗包括对碳化硅晶片碳面和/或碳化硅晶片硅面进行清洗的步骤。
3.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述湿法清洗的清洗温度为20~150℃。
4.根据权利要求3所述的清洗方法，其特征在于，所述湿法清洗使用超声或兆声波清洗。
5.根据权利要求1-4任一项所述的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法还包括水清洗的步骤，所述水清洗包括：人工使用软毛刷和水对所述碳化硅晶片在室温下清洗15min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
