[发明专利]一种实时监测研磨速率的方法在审
申请号: | 201811302701.5 | 申请日: | 2018-11-02 |
公开(公告)号: | CN109108810A | 公开(公告)日: | 2019-01-01 |
发明(设计)人: | 罗方 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | B24B37/005 | 分类号: | B24B37/005;B24B37/00 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 研磨 实时监测 研磨件 晶圆 半导体制造技术 变化量计算 实时反馈 预先设置 产能 管控 片晶 制程 报警 保存 监控 | ||
1.一种实时监测研磨速率的方法,其特征在于,针对研磨工艺制程中每片晶圆预先准备一标准研磨件,还包括:
步骤S1,在对所述晶圆进行研磨的同时,将所述标准研磨件的当前厚度记为初始厚度,并通过一机械手臂将所述标准研磨件按压在研磨垫上;
步骤S2,按照所述晶圆的研磨工艺制程对所述标准研磨件进行研磨;
步骤S3,将所述标准研磨件研磨完毕后,将所述标准研磨件的当前厚度记为残余厚度;
步骤S4,根据所述初始厚度和所述残余厚度处理得到本次研磨的研磨速率并保存;
在对下一片所述晶圆进行研磨控制时,根据所述步骤S4中保存的至少一个历史的所述研磨速率,处理得到下一片所述晶圆进行研磨时的研磨速率。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤S1中,针对不同类型的研磨工艺制程,选用不用类型的所述标准研磨件;并且所述步骤S3中,针对不同类型的所述标准研磨件,采用不同类型的检测方式检测得到所述标准研磨件的当前厚度。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述步骤S1中,针对氧化物的研磨工艺制程,选用氧化硅研磨件作为所述标准研磨件;
所述步骤S3中,在对所述标准研磨件研磨完毕后,采用光学检测的方式检测所述标准研磨件的当前厚度。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述步骤S1中,针对金属铜的研磨工艺制程,选用金属铜作为标准研磨件;
所述步骤S3中,在对所述标准研磨件研磨完毕后,采用电磁感应或者接触电阻检测的方式检测所述标准研磨件的当前厚度。
5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述步骤S1中,针对金属铝/金属钨的研磨工艺制程,选用金属铝/金属钨作为所述标准研磨件;
所述步骤S3中,在对所述标准研磨件研磨完毕后,采用电磁感应或者接触电阻检测的方式检测所述标准研磨件的当前厚度。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述标准研磨件上设置有至少一个研磨图案。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤S4中,根据所述初始厚度和所述残余厚度处理得到本次研磨所磨去的厚度,再根据本次研磨的研磨时间处理得到本次研磨的研磨速率。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在对下一片所述晶圆进行研磨控制时,根据所述步骤S4中输出的前一个研磨速率作为下一片所述晶圆的研磨速率。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在对下一片所述晶圆进行研磨控制时,根据所述步骤S4中输出的前五个研磨速率进行处理得到下一片所述晶圆的研磨速率。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,根据所述步骤S4中输出的前五个研磨速率,依据下述公式处理得到下一片所述晶圆的研磨速率:
RRi=(50%*RRi-1+20%*RRi-2+15%*RRi-3+10%*RRi-4+5%*RRi-5)/5
其中,RRi表示下一片所述晶圆的研磨速率;
RRi-1~RRi-5表示所述步骤S4中输出的前五个研磨速率。
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