[发明专利]镀膜腔室、镀膜设备及改善镀膜基板翘度的方法

权利要求书

1.一种镀膜腔室，其特征在于：所述镀膜腔室包括顶盖板，所述顶盖板包括中部的多个第一加热区和两侧相对设置的多个第二加热区；

所述镀膜腔室还包括控制器，所述控制器配置为当镀膜基板的温度达到第一预设温度时，控制所述镀膜基板进入所述镀膜腔室，并控制所述第一加热区及第二加热区的加热温度，使镀膜基板在达到第二预设温度后继续在所述镀膜腔室中蒸镀的时间缩短；

其中，所述第二预设温度高于所述第一预设温度，且所述第二预设温度为合金的液相点所对应的温度。

2.根据权利要求1所述的镀膜腔室，其特征在于，

多个所述第一加热区沿所述顶盖板的长度方向等间距排布；

多个所述第二加热区沿所述顶盖板的长度方向等间距排布；每一个第一加热区对应两个相对设置的第二加热区；

其中，每个所述第一加热区的形状呈U型。

3.根据权利要求1或2所述的镀膜腔室，其特征在于，在每个所述第一加热区中均设置有独立的第一加热器和第一温度感测元件，所述第一温度感测元件与第一控制器连接，所述第一控制器根据所述第一温度感测元件感测到的第一加热区的温度控制所述第一加热区的第一加热器加热镀膜基板；

在每个所述第二加热区中均设置有独立的第二加热器和第二温度感测元件，所述第二温度感测元件与第二控制器连接，所述第二控制器根据所述第二温度感测元件感测到的第二加热区的温度控制所述第二加热区的第二加热器加热镀膜基板。

4.根据权利要求1-3任一项所述的镀膜腔室，其特征在于，所述第一预设温度为390-450℃，所述第二预设温度为硒化铜的液相点所对应的温度。

5.一种镀膜设备，包括预沉积腔室和后处理沉积腔室，其特征在于，还包括如权利要求1-4任一项所述的镀膜腔室。

6.一种应用权利要求1-4任一项所述的镀膜腔室的改善镀膜基板翘度的方法，其特征在于，所述方法包括：

控制镀膜基板进入镀膜腔室的温度达到第一预设温度；

控制镀膜腔室的顶盖板上的第一加热区及第二加热区的加热温度，使镀膜基板在达到第二预设温度后继续在镀膜腔室中蒸镀的时间缩短；

其中，所述第二预设温度高于所述第一预设温度，所述第二预设温度为合金的液相点所对应的温度。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述控制镀膜腔室的顶盖板上的第一加热区及第二加热区的加热温度，使镀膜基板在达到第二预设温度后继续在镀膜腔室中蒸镀的时间缩短，包括：

控制顶盖板两侧的任意相对设置的两个第二加热区的加热温度相同，控制顶盖板的中部设置的每一个第一加热区的加热温度小于对应该第一加热区的两个相对设置的第二加热区的加热温度，使镀膜基板在达到第二预设温度后继续在镀膜腔室中蒸镀的时间缩短。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，

在每个所述第一加热区设置有独立的第一加热器和第一温度感测元件；

在每个所述第二加热区设置有独立的第二加热器和第二温度感测元件；

所述控制镀膜腔室的顶盖板上的第一加热区及第二加热区的加热温度，使镀膜基板在达到第二预设温度后继续在镀膜腔室中蒸镀的时间缩短，包括：

根据所述第一温度感测元件感测到的第一加热区温度，控制第一加热器加热镀膜基板，根据所述第二温度感测元件感测到的第二加热区的温度，控制第二加热器加热镀膜基板，使镀膜基板在达到第二预设温度后继续在镀膜腔室中蒸镀的时间缩短。

9.根据权利要求6-8任一项所述的方法，其特征在于，所述第一预设温度为390-450℃，所述第二预设温度为硒化铜的液相点所对应的温度。