[发明专利]沉积腔室、镀膜设备及镀膜方法

权利要求书

1.一种沉积腔室，其特征在于，包括至少两组金属蒸发源和至少一组非金属蒸发源；

每组所述金属蒸发源包括至少两种金属蒸发源；

沿着所述沉积腔室的幅长方向，至少两组所述的金属蒸发源分别设置于所述沉积腔室的两侧，且每组所述金属蒸发源包括至少一排所述金属蒸发源，每组所述金属蒸发源呈直线或水平交错的方式排布；每组所述金属蒸发源的总数量为13个。

2.根据权利要求1所述的沉积腔室，其特征在于，每组所述金属蒸发源包括镓Ga蒸发源、铟In蒸发源和铜Cu蒸发源；或/和所述非金属蒸发源为Se蒸发源；

在相邻两组所述金属蒸发源之间设置至少一组非金属蒸发源，每组所述非金属蒸发源包括至少一排所述非金属蒸发源。

3.根据权利要求1所述的沉积腔室，其特征在于，沿着所述沉积腔室的幅长方向，至少两组所述金属蒸发源分别设置于所述沉积腔室的底部；或/和

每组相邻两个所述金属蒸发源之间具有间隙；或/和

所述非金属蒸发源为1～5排；或/和

每排相邻两个所述非金属蒸发源之间具有间隙，每组所述非金属蒸发源的个数为3～18个。

4.根据权利要求1～3任一项所述的沉积腔室，其特征在于，沿所述沉积腔室的幅长方向，每组所述金属蒸发源的排布顺序依次为：

Cu蒸发源，In蒸发源，Ga蒸发源，Cu蒸发源，Cu蒸发源，Cu蒸发源，In蒸发源，Cu蒸发源，In蒸发源，Ga蒸发源，In蒸发源，Cu蒸发源，Ga蒸发源；或者

Cu蒸发源，Ga蒸发源，In蒸发源，Cu蒸发源，In蒸发源，Cu蒸发源，In蒸发源，Ga蒸发源，Cu蒸发源，Cu蒸发源，Ga蒸发源，In蒸发源，Cu蒸发源；或者

Cu蒸发源，In蒸发源，Ga蒸发源，Cu蒸发源，Cu蒸发源，Cu蒸发源，In蒸发源，Ga蒸发源，In蒸发源，Cu蒸发源，Ga蒸发源，In蒸发源，In蒸发源；或者

Cu蒸发源，In蒸发源，Cu蒸发源，Ga蒸发源，Cu蒸发源，Cu蒸发源，Ga蒸发源，Cu蒸发源，In蒸发源，Ga蒸发源，In蒸发源，Cu蒸发源，Ga蒸发源；或者

Cu蒸发源，In蒸发源，Cu蒸发源，Ga蒸发源，Cu蒸发源，Ga蒸发源，In蒸发源，Cu蒸发源，Ga蒸发源，Cu蒸发源，Ga蒸发源，In蒸发源，Ga蒸发源；或者

Ga蒸发源，Cu蒸发源，In蒸发源，Cu蒸发源，In蒸发源，In蒸发源，Cu蒸发源，Ga蒸发源，Cu蒸发源，Cu蒸发源，In蒸发源，Ga蒸发源，In蒸发源；或者

Ga蒸发源，Cu蒸发源，In蒸发源，Ga蒸发源，Cu蒸发源，Cu蒸发源，Cu蒸发源，In蒸发源，Cu蒸发源，In蒸发源，In蒸发源，Ga蒸发源，In蒸发源；或者

Ga蒸发源，Cu蒸发源，In蒸发源，In蒸发源，Cu蒸发源，Cu蒸发源，In蒸发源，In蒸发源，Ga蒸发源，Cu蒸发源，In蒸发源，Ga蒸发源，In蒸发源；或者

Ga蒸发源，Cu蒸发源，In蒸发源，Cu蒸发源，In蒸发源，Cu蒸发源，Cu蒸发源，Ga蒸发源，In蒸发源，Cu蒸发源，In蒸发源，Ga蒸发源，In蒸发源；或者

In蒸发源，Cu蒸发源，Ga蒸发源，Cu蒸发源，Ga蒸发源，Cu蒸发源，Cu蒸发源，In蒸发源，Cu蒸发源Ga蒸发源，In蒸发源，Ga蒸发源，In蒸发源；或者

In蒸发源，Ga蒸发源，Cu蒸发源，Cu蒸发源，Ga蒸发源，In蒸发源，Cu蒸发源，In蒸发源，Ga蒸发源，In蒸发源，Cu蒸发源，Ga蒸发源，In蒸发源；或者

In蒸发源，Ga蒸发源，Cu蒸发源，Ga蒸发源，Cu蒸发源，In蒸发源，Cu蒸发源，Ga蒸发源，In蒸发源，In蒸发源，Cu蒸发源，Ga蒸发源，In蒸发源。

5.根据权利要求1～3任一项所述的沉积腔室，其特征在于，所述Cu蒸发源的中心线、In蒸发源的中心线和Ga蒸发源的中心线与参考线之间的夹角为20-45度，所述参考线为垂直于所述沉积腔室的底部的直线。

6.一种镀膜设备，其特征在于，包括权利要求1～5任一项所述的沉积腔室；或/和

所述镀膜设备包括前处理腔室或/和后处理腔室，所述前处理腔室或/和所述后处理腔室中设置有碱金属化合物蒸发源。