[发明专利]一种四碱式硫酸铅表面铅薄膜去除装置

说明书

本发明公开了一种四碱式硫酸铅表面铅薄膜去除装置，包括支撑架和除铅薄膜反应箱，所述除铅薄膜反应箱安装在支撑架的上方，所述转轴的一端贯穿除铅薄膜反应箱的侧壁与电机一的输出轴连接，所述转轴的侧壁连接有搅拌杆，所述转轴的下端面安装有转盘，所述除铅薄膜反应箱的内侧壁设置有脉冲电流发送装置，所述除铅薄膜反应箱的一侧设置有进料口，所述除铅薄膜反应箱的另一侧安装有计算控制处理装置，所述梯形箱的侧壁设置有振荡器，所述脉冲电流发送装置与计算控制处理装置之间电性连接。本发明解决了现有的硫酸铅表面铅薄膜去除装置大多采用物理方法去除铅薄膜，容易出现反复性且易出现硫酸铅晶体表面处理不完全的问题。

技术领域

本发明涉及工业生产设备技术领域，具体为一种四碱式硫酸铅表面铅薄膜去除装置。

背景技术

四碱式硫酸铅(简称4BS),白色单斜结晶，熔点977℃，极微溶于热水，微溶于硫酸，四碱式硫酸铅由氧化铅和硫酸铅熔融制得，四碱式硫酸铅亦可用氧化铅和硫酸铅悬浮水溶液煮沸制得，四碱式硫酸铅用作白色颜料，塑料的热稳定剂及铅酸蓄电池添加剂，因放电条件或放置时的周围温度的高低、振动等，逐渐生长形成非导体薄膜的现象叫做硫酸盐化现象，而生成的硫酸铅薄膜，不易进行化学反应，但是现有的硫酸铅表面铅薄膜去除装置存在如下问题：第一是现有的硫酸铅表面铅薄膜去除装置大多采用物理方法去除铅薄膜，容易出现反复性；第二是现有的硫酸铅表面铅薄膜去除装置在处理硫酸铅表面铅薄膜时，易出现表面处理不完全的情况。

发明内容

本发明的目的在于提供一种四碱式硫酸铅表面铅薄膜去除装置，以解决上述背景技术中提出的现有的硫酸铅表面铅薄膜去除装置大多采用物理方法去除铅薄膜，容易出现反复性且易出现硫酸铅晶体表面处理不完全的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：一种四碱式硫酸铅表面铅薄膜去除装置，包括支撑架和除铅薄膜反应箱，所述除铅薄膜反应箱安装在支撑架的上方，所述除铅薄膜反应箱的侧壁连接有支撑块，所述支撑块固定安装在支撑架的上端面，所述除铅薄膜反应箱的上端面设置有电机一，所述除铅薄膜反应箱的内部安装有转轴,所述转轴的一端贯穿除铅薄膜反应箱的侧壁与电机一的输出轴连接，所述除铅薄膜反应箱的内部安装有转轴,所述转轴的侧壁连接有搅拌杆，所述转轴的下端面安装有转盘，所述除铅薄膜反应箱的内侧壁设置有脉冲电流发送装置，所述除铅薄膜反应箱的一侧设置有进料口，所述除铅薄膜反应箱的另一侧安装有计算控制处理装置，所述除铅薄膜反应箱的下端面连接有梯形箱，所述梯形箱的侧壁设置有振荡器，所述脉冲电流发送装置与计算控制处理装置之间电性连接。

优选的，所述支撑架的侧壁固定安装有横梁。

优选的，所述每组搅拌杆的数量设置为三个，且至少设置为四组。

优选的，所述转盘的上端面设置有通孔，所述通孔呈环形阵列分布。

优选的，所述梯形箱的下端面连接有出料管，所述出料管的下方设置有传送装置,所述传送装置包括固定座，所述固定座的侧壁设置有电机二，所述固定座的内腔连接有转轴，所述转轴的一端贯穿固定座与电机二的输出轴连接，所述转轴的侧壁设置有传送带。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

1.本发明，通过在除铅薄膜反应箱的内侧壁添加脉冲电流发送装置，在计算控制处理装置的作用下，对箱体内的硫酸铅晶体进行表面铅薄膜处理，通过输出伴随趋肤效应的短脉冲宽度的脉冲电流，集中分解硫酸铅晶体的表层部，解决了现有的硫酸铅表面铅薄膜去除装置大多采用物理方法去除铅薄膜，容易出现反复性的问题。

2.通过在除铅薄膜反应箱的上端面安装电机，在转轴和搅拌杆的固定连接下，对箱体内部的硫酸铅晶体进行均匀搅拌，在转盘的上端面设置通孔，进一步保证均匀搅拌硫酸铅晶体，解决现有的硫酸铅表面铅薄膜去除装置易出现硫酸铅晶体表面处理不完全的问题。

附图说明

图1为本发明实施例整体的结构示意图；