[发明专利]一种半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

使用原子层沉积(ALD)工艺形成层；以及

在氮环境中退火所述层，包括：

在将退火温度从第一温度增加至第二温度的同时退火所述层第一时间段；在将所述退火温度从所述第一温度增加至所述第二温度的同时退火所述层第一时间段包括：

以第一速率将所述退火温度从所述第一温度增加至第三温度；和

以第二速率将所述退火温度从所述第三温度增加至所述第二温度，其中，所述第一速率大于所述第二速率；

在第二温度下退火所述层第二时间段；以及

在将退火温度从所述第二温度减小的同时退火所述层第三时间段。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述层包括：

流动硅源前体；

流动碳和氮源前体；以及

流动氧源前体。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述硅源前体包括Si₂Cl₆。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述碳和氮源前体包括N(C₂H₅)₃。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述氧源前体包括O₂。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一温度为至少400℃，所述第二温度为至少700℃，并且所述第一时间段为至少60分钟，并且所述第二时间段为至少60分钟。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，退火所述层减少了所述层中碳的量和氮的量。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一速率为9℃/min，并且所述第二速率为3℃/min。

9.一种形成半导体器件的方法，包括：

使用原子层沉积(ALD)工艺形成层，所述原子层沉积工艺包括：

对于所述原子层沉积的一个循环：

流动硅源前体；

流动碳和氮源前体；和

流动氧源前体；以及

退火所述层以减少所述层中碳的量和氮的量。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，退火所述层包括在一个大气压下的氮环境中退火所述层。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，退火所述层包括：

以第一速率将退火温度从第一温度升高至第二温度；以及

以第二速率将所述退火温度从所述第二温度升高至第三温度，其中，所述第二速率小于所述第一速率。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，退火所述层还包括在所述第三温度下退火所述层，其中，所述第三温度保持一段时间。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，退火所述层还包括将所述退火温度从所述第三温度降低。

14.根据权利要求9所述的方法，其中，退火所述层还包括在氢等离子体中的恒定温度下退火所述层。

15.根据权利要求9所述的方法，其中，所述硅源前体包括Si₂Cl₆，所述碳和氮源前体包括N(C₂H₅)₃，并且所述氧源前体包括O₂。