[发明专利]半导体器件和制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

利用第一光刻掩模暴露位于中介层衬底上方的第一区域和第三区域以分别形成第一曝光区域和第三曝光区域；

利用第二光刻掩模暴露位于所述中介层衬底上方的第二区域和第四区域以形成第二曝光区域和第四曝光区域，其中，所述第一曝光区域与所述第二曝光区域在第一方向上相邻设置，所述第三曝光区域与所述第四曝光区域在所述第一方向上相邻设置；以及

利用不同于所述第一光刻掩模和所述第二光刻掩模的第三光刻掩模，暴露位于所述中介层衬底上方的划线区域，以在垂直于所述第一方向的第二方向上且在所述第一曝光区域和所述第二曝光区域的边沿与所述第三曝光区域和所述第四曝光区域的边沿之间形成第五曝光区域，其中，所述第五曝光区域与所述第一曝光区域、所述第二曝光区域、所述第三曝光区域、所述第四曝光区域均重叠。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第五曝光区域与所述第一曝光区域重叠2.5μm。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述划线区域具有1400μm的宽度。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在暴露所述划线区域之后，从所述划线区域去除导电材料的至少部分。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，去除所述导电材料的所述部分去除了所有的所述导电材料。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，去除所述导电材料的所述部分形成所述导电材料的伪图案。

7.根据权利要求4所述的方法，其中，去除所述导电材料的所述部分在所述导电材料与所述第一曝光区域之间的介电材料的部分内形成开口。

8.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

利用第一光刻掩模成像中介层衬底的第一区域；

利用所述第一光刻掩模成像所述中介层衬底的第二区域；

利用不同于所述第一光刻掩模的第二光刻掩模成像所述中介层衬底的第三区域；

利用第三光刻掩模成像所述中介层衬底的第四区域和第五区域，其中，所述第一区域与所述第四区域邻接，所述第二区域与所述第五区域邻接，并且所述第三区域在所述第一区域和所述第四区域与所述第二区域和所述第五区域之间延伸并且进入所述第一区域、所述第二区域、所述第四区域和所述第五区域内，其中，所述第三区域包括导电材料和位于所述导电材料下面的介电材料，所述介电材料具有由所述导电材料暴露的第一部分；以及

在成像所述第三区域之后，从所述第三区域去除所述导电材料的至少部分，其中，去除所述导电材料在所述介电材料的第一部分内形成开口。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述介电材料包括：

第一氧化硅层；

第一氮化硅层，覆盖在所述第一氧化硅层上方；以及

第二氧化硅层，覆盖在所述第一氮化硅层上方。

10.根据权利要求8所述的方法，还包括：从所述中介层衬底的第二区域分割所述中介层衬底的所述第一区域，其中，在所述分割之后，所述中介层衬底延伸到第一宽度，所述第一宽度大于所述第一光刻掩模的最大曝光限制。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第三区域延伸至所述第一区域内2.5μm的距离。

12.根据权利要求8所述的方法，还包括将第一半导体器件，第二半导体器件和第三半导体器件附接到所述中介层衬底的第一区域。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括封装所述第一半导体器件，所述第二半导体器件和所述第三半导体器件。

14.根据权利要求8所述的方法，其中，从所述第三区域去除所述导电材料的所述部分包括从所述第三区域去除所有的所述导电材料。