[发明专利]阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置

说明书

本发明涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置。其中，阵列基板包括衬底基板、设于所述衬底基板上的薄膜晶体管。其中，薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、半导体层、源电极和漏电极、钝化层。钝化层上设有贯穿至所述源电极或所述漏电极的过孔，所述过孔中设有包含导电材料的搭接导电层，所述搭接导电层用于与像素电极电连接。上述阵列基板的表面平整，进而利于电路布线和像素界定层的灵活设定。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置。

背景技术

有机电致发光二极管和量子点发光二极管是目前显示器件研究的两个主要方向。其中，有机电致发光二极管(OLED)具有自发光、反应快、视角广、亮度高及轻薄等优点。量子点发光二极管(QLED)具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色易调及使用寿命长等优点。

印刷工艺是OLED和QLED器件加工过程中的重要环节，但采用印刷工艺制备显示器件时，需要在制备像素电极之前，对薄膜晶体管的钝化层开设较深的过孔，以便源/漏电极与像素电极连通。但由于较深的过孔存在导致最终制备的阵列基板的表面不平整，制约了电路布线的灵活性和像素界定层设计的灵活性。

发明内容

基于此，有必要针对阵列基板不平整的问题，提供一种表面平整的阵列基板。

一种表面平整的阵列基板，包括：

衬底基板；

薄膜晶体管，设于所述衬底基板上，所述薄膜晶体管包括：

栅极，设于所述衬底基板上；

栅极绝缘层，覆盖在所述栅极上；

半导体层，设于所述栅极绝缘层上；

源电极和漏电极，设于所述栅极绝缘层上并与所述半导体层电连接；

钝化层，覆盖所述源电极和所述漏电极；以及

所述钝化层上设有贯穿至所述源电极或所述漏电极的过孔，所述过孔中设有包含导电材料的搭接导电层，所述搭接导电层用于与像素电极电连接。

上述阵列基板的表面平整，进而利于电路布线和像素界定层的灵活设定。具体而言，由于在制备像素电极前，先对钝化层上较深的过孔用导电材料填充以形成可将源电极或漏电极与像素电极电连接的搭接导电层，这样也就避免因为较深过孔的存在而导致阵列基板表面不平整的问题，进而导致后续制备像素电极不平整，影响电路布线和像素界定层的灵活设定。

在其中一个实施例中，所述搭接导电层填充满所述过孔的空间，且所述搭接导电层的厚度与所述过孔的高度相等。

在其中一个实施例中，所述钝化层的组成材料包括绝缘材料和有机光阻材料中的一种或两种。

本发明还提供一种阵列基板的制备方法。

一种阵列基板的制备方法，包括如下步骤：

在衬底基板的一侧形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括设于衬底基板上的栅极、设于栅极上的栅极绝缘层、设于栅极绝缘层上的半导体层、设于栅极绝缘层上并与所述半导体层电连接的源电极和漏电极、覆盖所述源电极和所述漏电极的钝化层；

在所述薄膜晶体管对应所述源电极或所述漏电极位置处的钝化层上开设过孔；

在所述过孔中沉积导电材料，以在所述过孔中形成搭接导电层。

上述制备方法简单，在制备像素电极前，只需对钝化层上较深的过孔用导电材料填充，这样也就避免后续制备像素电极时，因为较深过孔的存在导致像素电极表面不平整的问题，进而利于电路布线和像素界定层的灵活设定。