[发明专利]半导体装置以及其制作方法有效
| 申请号： | 201811306131.7 | 申请日： | 2018-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN111146332B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 翁宸毅;张境尹;王慧琳;谢晋阳 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/01;H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
基底；
连接结构，设置于该基底上；
第一金属间介电层，设置于该基底上且围绕该连接结构；
磁性隧穿结结构，设置于该连接结构上；以及
第二金属间介电层，设置于该第一金属间介电层上且围绕该磁性隧穿结结构，其中该第一金属间介电层的介电常数低于该第二金属间介电层的介电常数，其中该第一金属间介电层的该介电常数以及该第二金属间介电层的该介电常数均低于2.9，
其中该第二金属间介电层的硬度高于该第一金属间介电层的硬度，该第一金属间介电层的上表面包括凹陷表面，且该第二金属间介电层完全覆盖该第一金属间介电层的该上表面。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第二金属间介电层直接接触该第一金属间介电层。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一金属间介电层的上表面于该基底的一厚度方向上低于该连接结构的上表面。
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