[发明专利]缓冲器电路以及具有该缓冲器电路的存储器装置

说明书

缓冲器电路以及具有该缓冲器电路的存储器装置。一种缓冲器电路包括：第一缓冲器，其被配置为在外部电源电压下操作，通过将输入信号与基准电压进行比较来生成第一缓冲器信号和第二缓冲器信号，并且响应于共模反馈电压而控制第一缓冲器信号和第二缓冲器信号的电位电平；第二缓冲器，其被配置为在内部电源电压下操作并响应于第一缓冲器信号和第二缓冲器信号而生成输出信号；以及复制电路，其被配置为将共模反馈电压生成为小于内部电源电压。

技术领域

本发明的各种实施方式涉及电子装置，更具体地讲，涉及一种缓冲器电路以及包括该缓冲器电路的半导体装置。

背景技术

目前使用存储器系统作为存储介质的移动信息装置(具体地讲，智能电话和平板个人计算机(PC))的广泛使用增加了存储器装置的重要性以及对存储器装置的兴趣。

随着各种应用以及使用高速处理器或多核处理器的并行处理的出现，对半导体存储器系统的要求在性能和可靠性两个方面均在增加。

存储器系统是使用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)或磷化铟(InP)的半导体制造的存储装置。存储器系统可被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。当电源关闭时，易失性存储器装置丢失存储的数据。易失性存储器装置的示例可包括静态随机存取存储器(RAM)(SRAM)、动态RAM(DRAM)和同步DRAM(SDRAM)。非易失性存储器装置可保持存储的数据，而不管电源开/关条件如何。非易失性存储器的示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变随机存取存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)和铁电RAM(FRAM)。闪存可被分类为NOR型存储器和NAND型存储器。

发明内容

各种实施方式涉及一种根据占空比和温度来减小输出变化的缓冲器电路以及包括该缓冲器电路的存储器装置。

根据实施方式，一种缓冲器电路可包括：第一缓冲器，其被配置为在外部电源电压下操作，通过将输入信号与基准电压进行比较来生成第一缓冲器信号和第二缓冲器信号，并且响应于共模反馈电压而控制第一缓冲器信号和第二缓冲器信号的电位电平；第二缓冲器，其被配置为在内部电源电压下操作并响应于第一缓冲器信号和第二缓冲器信号而生成输出信号；以及复制电路，其被配置为将共模反馈电压生成为小于内部电源电压。

根据实施方式，一种缓冲器电路可包括：第一缓冲器，其被配置为在外部电源电压下操作，通过将输入信号与基准电压进行比较来生成第一缓冲器信号和第二缓冲器信号，并且基于自电压(self-voltage)来控制第一缓冲器信号和第二缓冲器信号的电位电平；第二缓冲器，其被配置为在外部电源电压下操作，响应于第一缓冲器信号和第二缓冲器信号而生成第三缓冲器信号和第四缓冲器信号，并且基于共模反馈电压来将第三缓冲器信号和第四缓冲器信号的电位电平控制为小于内部电源电压；以及第三缓冲器，其被配置为在内部电源电压下操作，并且响应于第三缓冲器信号和第四缓冲器信号而生成输出信号。

根据实施方式，一种存储器装置可包括：缓冲器电路，其被配置为缓冲来自外部装置的输入信号并输出缓冲的输入信号作为输出信号；以及内部电路，其被配置为响应于从缓冲器电路输出的输出信号而执行操作，其中，缓冲器电路包括：第一缓冲器，其被配置为在外部电源电压下操作，通过将输入信号与基准电压进行比较来生成第一缓冲器信号和第二缓冲器信号，并且响应于共模反馈电压而控制第一缓冲器信号和第二缓冲器信号的电位电平；第二缓冲器，其被配置为在内部电源电压下操作并响应于第一缓冲器信号和第二缓冲器信号而生成输出信号；以及复制电路，其被配置为将共模反馈电压生成为小于内部电源电压。