[发明专利]一种轻质负离子发泡陶瓷及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811306523.3 申请日: 2018-11-05
公开(公告)号: CN109265193B 公开(公告)日: 2021-08-03
发明(设计)人: 张国涛;黄惠宁;戴永刚;杨景琪;黄辛辰;马梦兰 申请(专利权)人: 广东金意陶陶瓷集团有限公司;佛山金意绿能新材科技有限公司;景德镇金意陶陶瓷有限公司
主分类号: C04B38/08 分类号: C04B38/08;C04B38/02;C04B33/13;C04B33/132;C04B35/14
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 胡枫
地址: 528000 广东省佛山*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 负离子 发泡 陶瓷 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种轻质负离子发泡陶瓷,其特征在于,包括底层与负离子面层;所述底层与负离子面层分别由基础发泡粉料和负离子发泡粉料经布料,烧结制成;

所述底层发泡孔孔径为0.5-1.0mm;所述负离子面层发泡孔孔径为0.2-0.5mm;

其中,所述基础发泡粉料按照重量份数计包括:抛光渣50-80份,废玻璃1-5份,发泡陶瓷废渣5-10份,瓷砖废渣5-10份,粘土5-15份,中温砂1-10份,低温砂5-10份,解胶剂0.1-1份,发泡剂0.1-1份;

所述负离子发泡粉料按照重量份数计包括:粘土5-20份,高温砂25-40份,中温砂30-45份,低温砂10-20份,滑石1-5份,发泡剂0.1-2份,解胶剂0.1-1份,负离子材料0.5-3份;

所述基础发泡粉料的发泡剂选用碳化硅,所述负离子发泡粉料的发泡剂选用碳化硅和氧化锰的混合物;

所述轻质负离子发泡陶瓷的烧成曲线为:

从室温到400℃,采用9-12℃/min的升温速率;

从400℃到850℃,采用8-10℃/min的升温速率;

从850℃到950℃,采用1.5-4℃/min的升温速率;

从950℃到烧成温度,采用5-8℃/min的升温速率;

然后在烧成温度保温40-60分钟;

所述烧成温度为1100-1180℃。

2.如权利要求1所述的轻质负离子发泡陶瓷,其特征在于,所述基础发泡粉料和/或负离子发泡粉料还包括:颗粒成球剂0.1-1份。

3.如权利要求2所述的轻质负离子发泡陶瓷,其特征在于,所述颗粒成球剂选用木质素、羧甲基纤维素钠中的一种或组合。

4.如权利要求1所述的轻质负离子发泡陶瓷,其特征在于,所述底层的密度为350-370kg/m3,抗压强度为6-7MPa,白度为25-30度;

所述负离子面层的密度为380-410kg/m3,抗压强度为8-8.5MPa,白度为55-65度。

5.如权利要求4所述的轻质负离子发泡陶瓷,其特征在于,所述轻质负离子发泡陶瓷的抗压强度为7-8.5MPa,密度为350-380kg/m3,负离子发生量1600-2200个/m2,白度为55-65度。

6.一种制备如权利要求1-5任一项所述的轻质负离子发泡陶瓷的方法,其特征在于,包括:

(1)制备基础发泡粉料;

(2)制备负离子发泡粉料;

(3)将步骤(1)得到的基础发泡粉料布料到承烧匣钵中;

(4)将步骤(2)得到的负离子发泡粉料布料到步骤(3)得到的基础发泡粉料的表面;

(5)将双层布料后的粉体烧成,得到所述轻质负离子发泡陶瓷成品。

7.如权利要求6所述制备轻质负离子发泡陶瓷的方法,其特征在于,步骤(5)中,所述双层布料后的粉体的烧成曲线为:

从室温到400℃,采用9-12℃/min的升温速率;

从400℃到850℃,采用8-10℃/min的升温速率;

从850℃到950℃,采用1.5-4℃/min的升温速率;

从950℃到烧成温度,采用5-8℃/min的升温速率;

然后在烧成温度保温40-60分钟;

所述烧成温度为1100-1180℃。

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