[发明专利]用于先进的集成电路结构制造的栅极线插塞结构

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

第一硅鳍片，其具有沿着第一方向的最长尺寸；

第二硅鳍片，其具有沿着第一方向的最长尺寸；

绝缘体材料，其处于第一硅鳍片与第二硅鳍片之间；

栅极线，其沿着第二方向在第一硅鳍片之上并且在第二硅鳍片之上，第二方向与第一方向正交，所述栅极线具有第一侧和第二侧，其中所述栅极线在所述绝缘体材料之上具有中断，所述中断被电介质插塞填充；

沟槽接触部，其在所述栅极线的第一侧处沿着第二方向在第一硅鳍片之上并且在第二硅鳍片之上，所述沟槽接触部在与所述电介质插塞侧向相邻的位置处在所述绝缘体材料之上连续；以及

电介质间隔部，其侧向在所述沟槽接触部与所述栅极线的第一侧之间，所述电介质间隔部沿着所述电介质插塞和所述栅极线的第一侧是连续的，并且所述电介质间隔部具有与所述电介质插塞侧向相邻的宽度，所述宽度比与所述栅极线的第一侧侧向相邻的宽度更薄。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，进一步包括：

第二沟槽接触部，其在所述栅极线的第二侧处沿着第二方向在第一硅鳍片之上并且在第二硅鳍片之上，第二沟槽接触部在与所述电介质插塞侧向相邻的位置处在所述绝缘体材料之上连续。

3.根据权利要求2所述的集成电路结构，进一步包括：

第二电介质间隔部，其侧向在第二沟槽接触部与所述栅极线的第二侧之间，第二电介质间隔部沿着所述电介质插塞和所述栅极线的第二侧是连续的，并且第二电介质间隔部具有与所述电介质插塞侧向相邻的宽度，所述宽度比与所述栅极线的第二侧侧向相邻的宽度更薄。

4.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述栅极线包括高k栅极电介质层、栅电极和电介质盖层。

5.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述电介质插塞包括与所述电介质间隔部相同的材料，但是与所述电介质间隔部分立。

6.一种集成电路结构，包括：

第一硅鳍片，其具有沿着第一方向的最长尺寸；

第二硅鳍片，其具有沿着第一方向的最长尺寸；

绝缘体材料，其处于第一硅鳍片与第二硅鳍片之间；

栅极线，其沿着第二方向在第一硅鳍片之上并且在第二硅鳍片之上，第二方向与第一方向正交，所述栅极线具有第一侧和第二侧，其中所述栅极线在所述绝缘体材料之上具有中断，所述中断被电介质插塞填充；

沟槽接触部，其在所述栅极线的第一侧处沿着第二方向在第一硅鳍片之上并且在第二硅鳍片之上，所述沟槽接触部在与所述电介质插塞侧向相邻的位置处在所述绝缘体材料之上连续；以及

电介质间隔部，其侧向在所述沟槽接触部与所述栅极线的第一侧之间，所述电介质间隔部沿着所述栅极线的第一侧但是不沿着所述电介质插塞，其中所述沟槽接触部具有与所述电介质插塞侧向相邻的宽度，所述宽度比与所述电介质间隔部侧向相邻的宽度更薄。

7.根据权利要求6所述的集成电路结构，进一步包括：

第二沟槽接触部，其在所述栅极线的第二侧处沿着第二方向在第一硅鳍片之上并且在第二硅鳍片之上，第二沟槽接触部在与所述电介质插塞侧向相邻的位置处在所述绝缘体材料之上连续。

8.根据权利要求7所述的集成电路结构，进一步包括：

第二电介质间隔部，其侧向在第二沟槽接触部与所述栅极线的第二侧之间，第二电介质间隔部沿着所述栅极线的第二侧但是不沿着所述电介质插塞，其中第二沟槽接触部具有与所述电介质插塞侧向相邻的宽度，所述宽度比与第二电介质间隔部侧向相邻的宽度更薄。

9.根据权利要求6所述的集成电路结构，其中，所述栅极线包括高k栅极电介质层、栅电极和电介质盖层。

10.根据权利要求6所述的集成电路结构，其中，所述电介质插塞包括与所述电介质间隔部相同的材料，但是与所述电介质间隔部分立。