[发明专利]用于先进的集成电路结构制造的鳍切口和鳍修整隔离

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

包含硅的鳍，所述鳍具有顶部和侧壁，其中所述顶部具有沿着第一方向的最长尺寸；

沿着第一方向将所述鳍的第一部分的第一末端与所述鳍的第二部分的第一末端隔开的第一隔离结构，第一隔离结构具有沿着第一方向的宽度，所述鳍的第一部分的第一末端具有表面粗糙度；

包括在所述鳍的第一部分的顶部之上并且与所述鳍的第一部分的一区域的侧壁侧向相邻的栅电极的栅极结构，其中所述栅极结构具有沿着第一方向的宽度，并且其中通过沿着第一方向的节距将所述栅极结构的中心与第一隔离结构的中心间隔开；以及

在所述鳍的第一部分的第二末端之上的第二隔离结构，第二末端与第一末端相对，第二隔离结构具有沿着第一方向的所述宽度，并且所述鳍的第一部分的第二末端具有小于所述鳍的第一部分的第一末端的表面粗糙度的表面粗糙度，其中通过沿着第一方向的所述节距将第二隔离结构的中心与所述栅极结构的中心间隔开。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述鳍的第一部分的第一末端具有圆齿状形貌。

3.根据权利要求1所述的集成电路结构，进一步包括：

在所述栅极结构与第一隔离结构之间在所述鳍的第一部分上的第一外延半导体区域；以及

在所述栅极结构与第二隔离结构之间在所述鳍的第一部分上的第二外延半导体区域。

4.根据权利要求3所述的集成电路结构，其中，第一和第二外延半导体区域具有沿着与第一方向正交的第二方向的宽度，沿着第二方向的所述宽度比在所述栅极结构下方的所述鳍的第一部分的沿着第二方向的宽度更宽。

5.根据权利要求1所述的集成电路结构，所述栅极结构进一步包括在所述栅电极与所述鳍的第一部分之间并且沿着所述栅电极的侧壁的高k电介质层。

6.一种集成电路结构，包括：

包含硅的鳍，所述鳍具有顶部和侧壁，其中所述顶部具有沿着一方向的最长尺寸；

沿着所述方向将所述鳍的第一部分的第一末端与所述鳍的第二部分的第一末端隔开的第一隔离结构，所述鳍的第一部分的第一末端具有一深度；

包括在所述鳍的第一部分的顶部之上并且与所述鳍的第一部分的一区域的侧壁侧向相邻的栅电极的栅极结构；以及

在所述鳍的第一部分的第二末端之上的第二隔离结构，第二末端与第一末端相对，所述鳍的第一部分的第二末端具有与所述鳍的第一部分的第一末端的深度不同的深度。

7.根据权利要求6所述的集成电路结构，其中，所述鳍的第一部分的第二末端的深度小于所述鳍的第一部分的第一末端的深度。

8.根据权利要求6所述的集成电路结构，其中，所述鳍的第一部分的第二末端的深度大于所述鳍的第一部分的第一末端的深度。

9.根据权利要求6所述的集成电路结构，其中第一隔离结构具有沿着所述方向的宽度，其中所述栅极结构具有沿着所述方向的所述宽度，并且其中第二隔离结构具有沿着所述方向的所述宽度。

10.根据权利要求6所述的集成电路结构，其中通过沿着所述方向的节距将所述栅极结构的中心与第一隔离结构的中心间隔开，并且其中通过沿着所述方向的所述节距将第二隔离结构的中心与所述栅极结构的中心间隔开。

11.一种集成电路结构，包括：

包含硅的第一鳍，第一鳍具有顶部和侧壁，其中所述顶部具有沿着一方向的最长尺寸，并且其中一中断部沿着所述方向将第一鳍的第一部分的第一末端与所述鳍的第二部分的第一末端隔开，第一鳍的第一部分具有与第一末端相对的第二末端，并且所述鳍的第一部分的第一末端具有一深度；

包含硅的第二鳍，第二鳍具有顶部和侧壁，其中所述顶部具有沿着所述方向的最长尺寸；以及

在第一鳍与第二鳍之间的残余鳍部分，所述残余鳍部分具有顶部和侧壁，其中所述顶部具有沿着所述方向的最长尺寸，并且所述顶部不与所述鳍的第一部分的第一末端的深度共面。