[发明专利]用于先进集成电路结构制造的沟槽隔离

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

包括硅的鳍片，所述鳍片具有下鳍片部分和上鳍片部分；

第一绝缘层，直接在鳍片的下鳍片部分的侧壁上，其中第一绝缘层是包括硅和氧的非掺杂绝缘层；

第二绝缘层，直接在第一绝缘层上，第一绝缘层直接在鳍片的下鳍片部分的侧壁上，第二绝缘层包括硅和氮；以及

电介质填充材料，与直接在第一绝缘层上的第二绝缘层直接侧向相邻，第一绝缘层直接在鳍片的下鳍片部分的侧壁上。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中第一绝缘层包括硅和氧，并且不具有具有大于1E15原子每立方厘米的原子浓度的其他原子种类。

3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中第一绝缘层具有在0.5 - 2纳米的范围中的厚度。

4.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中第二绝缘层具有在2 - 5纳米的范围中的厚度。

5.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中电介质填充材料包括硅和氧。

6.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括：

在鳍片的上鳍片部分的顶部之上并且与鳍片的上鳍片部分的侧壁侧向相邻的栅电极。

7.一种集成电路结构，包括：

包括硅的第一鳍片，所述第一鳍片具有下鳍片部分和上鳍片部分以及在下鳍片部分和上鳍片部分之间的区域处的肩状特征；

包括硅的第二鳍片，第二鳍片具有下鳍片部分和上鳍片部分以及在下鳍片部分和上鳍片部分之间的区域处的肩状特征；

第一绝缘层，包括硅和氧并且不具有具有大于1E15原子每立方厘米的原子浓度的其他原子种类，第一绝缘层直接在第一鳍片的下鳍片部分的侧壁上并且直接在第二鳍片的下鳍片部分的侧壁上，第一绝缘层具有与第一鳍片的肩状特征基本上共面的第一端部，并且第一绝缘层具有与第二鳍片的肩状特征基本上共面的第二端部；

第二绝缘层，包括硅和氮，第二绝缘层直接在第一绝缘层上，第一绝缘层直接在第一鳍片的下鳍片部分的侧壁上并且直接在第二鳍片的下鳍片部分的侧壁上；以及

电介质填充材料，其与直接在第一绝缘层上的第二绝缘层直接侧向相邻，第一绝缘层直接在第一鳍片的下鳍片部分的侧壁上并且直接在第二鳍片的下鳍片部分的侧壁上。

8.根据权利要求7所述的集成电路结构，其中电介质填充材料具有上表面，其中电介质填充材料的上表面的一部分在第一鳍片的肩状特征下方并且在第二鳍片的肩状特征下方。

9.根据权利要求7所述的集成电路结构，其中第一绝缘层具有在0.5 - 2纳米的范围中的厚度。

10.根据权利要求7所述的集成电路结构，其中第二绝缘层具有在2 - 5纳米的范围中的厚度。

11.根据权利要求7所述的集成电路结构，其中电介质填充材料包括硅和氧。

12.根据权利要求7所述的集成电路结构，还包括：

栅电极，其在第一鳍片的上鳍片部分的顶部之上并与第一鳍片的上鳍片部分的侧壁侧向相邻，以及栅电极，在第二鳍片的上鳍片部分的顶部之上并与第二鳍片的上鳍片部分的侧壁侧向相邻，以及栅电极，在第一鳍片和第二鳍片之间的电介质填充材料之上。

13.一种制造集成电路结构的方法，所述方法包括：

形成包括硅的鳍片；

形成直接在鳍片上并且与鳍片共形的第一绝缘层，第一绝缘层包括硅和氧并且不具有具有大于1E15原子每立方厘米的原子浓度的其他原子种类；

形成直接在第一绝缘层上并且与第一绝缘层共形的第二绝缘层，第二绝缘层包括硅和氮；

形成直接在第二绝缘层上的电介质填充材料；以及

使电介质填充材料、第一绝缘层和第二绝缘层凹陷，以提供具有暴露的上鳍片部分的鳍片。