[发明专利]用于先进的集成电路结构制造的异质金属线构成

权利要求书

1. 一种集成电路结构，包括：

第一多个导电互连线，其在基板上方在第一层间电介质（ILD）层中并且被第一层间电介质（ILD）层间隔开，其中第一多个导电互连线中的各个导电互连线包括沿着第一导电填充材料的侧壁和底部的第一导电阻挡材料；以及

第二多个导电互连线，其在第一ILD层上方在第二ILD层中并且被第二ILD层间隔开，其中第二多个导电互连线中的各个导电互连线包括沿着第二导电填充材料的侧壁和底部的第二导电阻挡材料，其中第二导电填充材料在构成上与第一导电填充材料不同。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中第二导电填充材料主要包括铜，并且其中第一导电填充材料主要包括钴。

3.根据权利要求2所述的集成电路结构，其中，第一导电阻挡材料在构成上与第二导电阻挡材料不同。

4.根据权利要求3所述的集成电路结构，其中，第一导电阻挡材料包括远离第一导电填充材料的外层和靠近第一导电填充材料的内层，所述外层包括钛和氮，并且所述内层包括钨、氮和碳。

5.根据权利要求4所述的集成电路结构，其中，所述外层具有大约2纳米的厚度，并且所述内层具有大约0.5纳米的厚度。

6.根据权利要求3所述的集成电路结构，其中，第二导电阻挡材料包括远离第二导电填充材料的外层和靠近第二导电填充材料的内层，所述外层包括钽，并且所述内层包括钌。

7.根据权利要求6所述的集成电路结构，其中，所述外层进一步包括氮。

8.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中第一导电填充材料包括具有掺杂物杂质原子的第一浓度的铜，并且其中第二导电填充材料包括具有掺杂物杂质原子的第二浓度的铜，掺杂物杂质原子的第二浓度小于掺杂物杂质原子的第一浓度。

9.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中，所述掺杂物杂质原子选自包括铝（Al）和锰（Mn）的群组。

10.根据权利要求8所述的集成电路结构，其中，第一导电阻挡材料和第二导电阻挡材料具有相同的构成。

11.根据权利要求10所述的集成电路结构，其中第一导电阻挡材料包括远离第一导电填充材料的外层和靠近第一导电填充材料的内层，所述外层包括钽，并且所述内层包括钌，并且其中第二导电阻挡材料包括远离第二导电填充材料的外层和靠近第二导电填充材料的内层，所述外层包括钽，并且所述内层包括钌。

12.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，第二多个导电互连线中的各个导电互连线包括在第二导电填充材料的顶部上的导电盖层。

13.根据权利要求12所述的集成电路结构，其中，所述导电盖层不在第二导电阻挡材料的顶部上。

14.根据权利要求12所述的集成电路结构，其中所述导电盖层主要包括钴，其中第二导电填充材料主要包括铜，并且其中第一导电填充材料主要包括钴。

15.根据权利要求1所述的集成电路结构，进一步包括：

导电通孔，其在第一多个导电互连线中的单独的一个导电互连线上并且电耦合到该单独的一个导电互连线，其中第二多个导电互连线中的单独的一个导电互连线在所述导电通孔上并且电耦合到所述导电通孔。

16.根据权利要求15所述的集成电路结构，其中，第一多个导电互连线中的各个导电互连线沿着第一方向，并且第二多个导电互连线中的各个导电互连线沿着与第一方向正交的第二方向。