[发明专利]用于先进的集成电路结构制造的差异化电压阈值金属栅极结构

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

包含硅的鳍片，所述鳍片具有顶部和侧壁；

栅极电介质层，其处于所述鳍片的顶部之上并且侧向邻接所述鳍片的侧壁；

N型栅电极，其处于所述鳍片的顶部之上的所述栅极电介质层之上并且侧向邻接所述鳍片的侧壁，所述N型栅电极包括在所述栅极电介质层上的P型金属层和在所述P型金属层上的N型金属层；

第一N型源极或漏极区域，其邻接所述栅电极的第一侧；以及

第二N型源极或漏极区域，其邻接所述栅电极的第二侧，第二侧与第一侧相对。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述P型金属层包括钛和氮，并且所述N型金属层包括钛、铝、碳和氮。

3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述P型金属层具有在2-4埃的范围中的厚度。

4.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述N型栅电极进一步包括在所述N型金属层上的传导填充金属层。

5.根据权利要求4所述的集成电路结构，其中，所述传导填充金属层包括钨。

6.根据权利要求5所述的集成电路结构，其中，所述传导填充金属层包括95或更大原子百分比的钨和0.1至2原子百分比的氟。

7. 一种集成电路结构，包括：

具有电压阈值（VT）的第一N型器件，第一N型器件具有第一栅极电介质层和在第一栅极电介质层上的第一N型金属层；以及

具有电压阈值（VT）的第二N型器件，第二N型器件具有第二栅极电介质层、在第二栅极电介质层上的P型金属层以及在所述P型金属层上的第二N型金属层。

8.根据权利要求7所述的集成电路结构，其中，第二N型器件的VT高于第一N型器件的VT。

9.根据权利要求7所述的集成电路结构，其中，第一N型金属层和第二N型金属层具有相同的构成。

10.根据权利要求7所述的集成电路结构，其中，第一N型金属层和第二N型金属层具有相同的厚度。

11.根据权利要求10所述的集成电路结构，其中，第一N型金属层和第二N型金属层具有相同的构成。

12.根据权利要求7所述的集成电路结构，其中，第二N型金属层包括钛、铝、碳和氮，并且所述P型金属层包括钛和氮。

13.根据权利要求7所述的集成电路结构，进一步包括：

具有电压阈值（VT）的第三N型器件，第三N型器件具有第三栅极电介质层和在第三栅极电介质层上的第三N型金属层，其中第三N型器件的VT与第一N型器件的VT不同。

14.根据权利要求13所述的集成电路结构，其中第一N型器件有具有一掺杂物浓度的沟道区域，并且第三N型器件有具有一掺杂物浓度的沟道区域，并且其中第一N型器件的所述沟道区域的所述掺杂物浓度与第三N型器件的所述沟道区域的所述掺杂物浓度不同。

15.根据权利要求13所述的集成电路结构，其中，第一N型金属层和第三N型金属层具有相同的构成。

16.根据权利要求13所述的集成电路结构，其中，第一N型金属层和第三N型金属层具有相同的厚度。

17.根据权利要求13所述的集成电路结构，其中，第一N型金属层和第三N型金属层具有相同的构成并且具有相同的厚度。