[发明专利]一种亚铁磁性半导体LaCu3 有效
| 申请号： | 201811307139.5 | 申请日： | 2018-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN109166686B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 龙有文;王潇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01F1/40 | 分类号： | H01F1/40;H01F41/00 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 郭广迅 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 亚铁磁性 半导体 lacu base sub | ||
1.一种亚铁磁性半导体，其化学式为LaCu3Fe2Os2O12。
2.根据权利要求1所述的亚铁磁性半导体，其中，所述亚铁磁性半导体的空间群为Pn-3，晶格常数为
3.根据权利要求1或2所述亚铁磁性半导体，其中，所述亚铁磁性半导体的居里温度为520K。
4.根据权利要求1或2所述亚铁磁性半导体，其中，所述亚铁磁性半导体的带隙为0.2eV。
5.一种制备权利要求1至4中任一项所述的亚铁磁性半导体的方法，包括以下步骤：
(1)将La2O3、Fe2O3、CuO、Os和氧源研磨混合，得到混合物；
(2)将所述混合物填充到金胶囊或铂胶囊中，密封；
(3)将金胶囊或铂胶囊置于6～10GPa的压力以及1000～1200℃的温度下进行处理；和
(4)将步骤(3)中处理得到的反应产物降温至室温，卸压，然后从金胶囊或铂胶囊中取出，研磨并清洗，从而得到亚铁磁性半导体LaCu3Fe2Os2O12。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述氧源为选自KClO3、KClO4、NaClO3、NaClO4、Na2O2和Ag2O2中的一种或多种。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，La2O3、Fe2O3、CuO和Os的摩尔比为1:2:6:4，以及以所述氧源中O的物质的量计，所述氧源与La2O3的摩尔比为9～27:1。
8.根据权利要求5所述的方法，其中，La2O3、Fe2O3、CuO和Os的摩尔比为1:2:6:4，以及以所述氧源中O的物质的量计，所述氧源与La2O3的摩尔比为9～20:1。
9.根据权利要求5所述的方法，其中，La2O3、Fe2O3、CuO和Os的摩尔比为1:2:6:4，以及以所述氧源中O的物质的量计，所述氧源与La2O3的摩尔比为12～18:1。
10.根据权利要求5至9中任一项所述的方法，其中，步骤(1)中研磨后的混合物的粒径为100～1000目。
11.根据权利要求5至9中任一项所述的方法，其中，步骤(1)中研磨后的混合物的粒径为200～600目。
12.根据权利要求5至9中任一项所述的方法，其中，步骤(3)中所述压力是通过六面顶压机或6–8型二级推进压机来施加的。
13.根据权利要求5至9中任一项所述的方法，其中，步骤(3)中处理的时间为10分钟以上。
14.根据权利要求5至9中任一项所述的方法，其中，步骤(3)中处理的时间为20～120分钟。
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