[发明专利]非隔离升降压电源电路及电源模块

权利要求书

1.一种非隔离升降压电源电路，其特征在于，包括第一升降压稳压器N1和第二升降压稳压器N2，所述第一升降压稳压器N1和所述第二升降压稳压器N2并联连接，其中，

所述第一升降压稳压器N1的SYNCI引脚和所述第二升降压稳压器N2的SYNCI引脚电连接；

所述第一升降压稳压器N1的SYNCO引脚和所述第二升降压稳压器N2的SYNCO引脚电连接；

所述第一升降压稳压器N1的EN引脚和所述第二升降压稳压器N2的EN引脚电连接后连接电阻R5一端，电阻R5另一端连接电压输入端；

所述第一升降压稳压器N1的EAIN引脚和所述第二升降压稳压器N2的EAIN引脚电连接后连接在电阻R4一端和电阻R8一端的连接电路上，电阻R4另一端连接电压输出端，电阻R8另一端接地；

所述第一升降压稳压器N1的VS1引脚和VS2引脚之间电连接有电感L1；

所述第二升降压稳压器N2的VS1引脚和VS2引脚之间电连接有电感L2。

2.根据权利要求1所述的非隔离升降压电源电路，其特征在于，所述第一升降压稳压器N1和所述第二升降压稳压器N2均采用PI3749升降压稳压器芯片。

3.根据权利要求1所述的非隔离升降压电源电路，其特征在于，所述电源电路还包括MCU，所述第一升降压稳压器N1的JMON引脚分别电连接MCU的第一ADC引脚和电容C6一端，电容C6另一端接地，所述第二升降压稳压器N2的JMON引脚分别电连接MCU的第二ADC引脚和电容C9一端，电容C9另一端接地。

4.根据权利要求1所述的非隔离升降压电源电路，其特征在于，所述第一升降压稳压器N1的TRK引脚和所述第二升降压稳压器N2的TRK引脚电连接后连接电容C5一端，电容C5另一端接地。

5.根据权利要求1所述的非隔离升降压电源电路，其特征在于，所述电源电路还包括与电压输出端电连接的软启动电路，所述软启动电路包括P型MOS管V1和三极管V2，所述电压输出端与所述P型MOS管V1的衬底电连接，所述P型MOS管的衬底与栅极之间并联有电阻R2和电容C4，所述P型MOS管的源极分别连接射频电压输出端和电容C3一端，电容C3另一端接地，所述P型MOS管的栅极通过电阻R8连接到三极管V2的集电极，三极管V2的基集和发射极之间连接有电阻R7，三极管V2的发射极接地，三极管V2的基极通过电阻R6连接到射频电压输出EN信号端。

6.根据权利要求5所述的非隔离升降压电源电路，其特征在于，所述P型MOS管V1的源极和漏极之间连接有寄生寄生二极管。

7.一种非隔离升降压电源模块，其特征在于，包括权利要求1-5中任一项所述的电源电路，所述电源电路设置在PCB板上。

8.根据权利要求7所述的非隔离升降压电源模块，其特征在于，所述PCB板上的第一升降压稳压器N1、第二升降压稳压器N2、电感L1和电感L2分散布置，所述第一升降压稳压器N1、第二升降压稳压器N2、电感L1和电感L2的表面加有导热体填隙。

9.根据权利要求7所述的非隔离升降压电源模块，其特征在于，所述PCB板为四层板，所述PCB板的电压输入端走线宽度为24mm，所述电压输入端走线露铜，且在露铜处加有焊锡。