[发明专利]一种超微距增亮膜及光源增益模组

说明书

本发明公开了一种超微距增亮膜以及光源增益模组，该超微距增亮膜的下表面呈平面，上表面形成若干规则布置且横截面呈三角形的锯齿，超微距增亮膜整体采用聚甲基丙烯酸甲酯或者丙烯腈–丁二烯–苯乙烯共聚合物制成，且折射率为1.47～1.54。通过本发明所揭示的一种超微距增亮膜，显著地改善了光线透过超微距增亮膜时所产生的光源虚耗的问题，提高了光源的利用率及光均匀度，同时实现提供全波段的照明效果，并最终提高了CIS的成像效果。

技术领域

本发明涉及光学聚光系统技术领域，尤其涉及一种超微距增亮膜及基于该超微距增亮膜所形成的一种光源增益模组。

背景技术

接触式图像传感器(Contact Image Sensor，CIS)，用在扫描仪中，是将感光单元紧密排列，直接收集被扫描稿件反射的光线信息。CIS由LEn光源阵列(Leo light source)、微自聚焦棒状透镜阵列(Rod Lens array)、光电传感器阵列(CMOS image sensor array)及其电路板、保护玻璃、接口、外壳等部分组成。其中，微自聚焦棒状透镜阵列(Rod Lensarray)的顶部设置紫外光光源增益模组。该紫外光光源增益模组的具体安装位置，请参公开号为CN108040187A的中国发明专利所示。

现有技术中的CIS中的光源发光模组(即上文所述的微自聚焦棒状透镜阵列)中使用一般光源(波长420～700nm)配合红外光(波长700～950nm)及紫外光(波长320～420nm)光源应用于CIS上；同时，现有技术的光源发光模组以直下式数组光源进行其应用。因光源发光发散光特性导致直下数组式发光横向会产“连波效应”(Ripple Effect)，从而导致纵向发散光能量衡损失大，光源的使用效率低(即光损失)，且空间不足无法同时满足光源贴附于放置以克服连波效应，固以微结构扩散薄膜放置，整光使原本大角度的光线整光直向导向，以满足紫外光、可见光及红外光的照明需求。

为了改善光源虚耗的问题，以及在不增加耗电功率的情况之下使用光学棱镜片薄膜BEF(Prism Film-Brightness EnhancementFilm)以软塑性光学材料，利用光折射及密介质进入疏介质特定角度会发生全反射特性以及材料选择使折射率改变光路径，使光源光方向改变，可实现LED照明功能，但是现有技术中的BEF薄膜的缺点其能量只适用于短距，同时，现有技术中的BEF薄膜无法实现全波段的照明效果，导致CIS对光源的限制性较高。

有鉴于此，有必要对现有技术中的光源增益模组予以改进，以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于公开一种超微距增亮膜，改善光线透过超微距增亮膜时所产生的光源虚耗的问题，以提高光源的利用率，并提高成像的光均匀度，同时实现提供全波段的照明效果，以提高CIS的成像效果；同时，本发明还公开了一种基于该超微距增量膜的光源增益模组。

为实现上述第一个目的，本发明提供了一种超微距增亮膜，其下表面呈平面，上表面形成若干规则布置且横截面呈三角形的锯齿，所述超微距增亮膜整体采用聚甲基丙烯酸甲酯或者丙烯腈–丁二烯–苯乙烯共聚合物制成，且折射率为1.47～1.54。

作为本发明的进一步改进，所述超微距增亮膜的折射率为1.48～1.52。

作为本发明的进一步改进，所述超微距增亮膜的折射率为1.49。

作为本发明的进一步改进，向下表面射入光线的波长为325～940nm，所述射入光线对超微距增亮膜的穿透率为90％，所述超微距增亮膜雾度为70％～90％。

作为本发明的进一步改进，相邻两个锯齿底部所形成的夹角为110度。

作为本发明的进一步改进，相邻两个三角形的锯齿的峰尖之间的距离为10～80微米。

同时，本发明还公开了一种光源增益模组，包括：光源，以及上述任一项权利要求所述的超微距增亮膜，所述超微距增亮膜位于所述光源的上方。