[发明专利]块存储器拼接方法、拼接模块、存储装置及现场可编程门阵列有效
申请号: | 201811307938.2 | 申请日: | 2018-11-05 |
公开(公告)号: | CN109542799B | 公开(公告)日: | 2023-03-28 |
发明(设计)人: | 吴洋;许莉;贾红;程显志;陈维新;韦嶔 | 申请(专利权)人: | 西安智多晶微电子有限公司 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 刘长春 |
地址: | 710075 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 拼接 方法 模块 存储 装置 现场 可编程 门阵列 | ||
1.一种块存储器拼接方法,其特征在于,包括:
根据待处理数据地址的第一数据位宽、第一数据深度计算拼接所用的RAM块的数量;
对C/2(Address_w-1)的结果取整,若取整后的值等于所述第一数据位宽,则选取判断位的位数CS为1,所述判断位的取值为0或1,其中,C为单个RAM的容量,Address_w为第一地址位宽;
根据所述判断位的位数确定RAM区的数量为2CS,并使所述RAM块平均分配到2CS个RAM区中,且每一个RAM区的数据长度为D=C/(2Address_w-1),地址范围为0-Address_w-2;
若取整后的值不等于所述第一数据位宽,则选取所述判断位的位数CS为2,所述判断位的取值为00、01、10或11;
根据所述判断位的位数确定所述RAM区的数量为2CS,并使所述RAM块平均分配到2CS个RAM区中,且每一个RAM区的数据长度为D=C/2(Address_w-2),地址范围为0-Address_w-3;
根据所述判断位的取值将所述待处理数据地址发送到对应的RAM区中。
2.根据权利要求1所述的块存储器拼接方法,其特征在于,根据待处理数据地址的第一数据位宽、第一数据深度计算拼接所用的RAM块的数量,包括:
根据所述第一数据位宽和所述第一数据深度计算数据总量;
根据所述数据总量与单个RAM的容量计算拼接所用的RAM块的数量。
3.根据权利要求1所述的块存储器拼接方法,其特征在于,在对C/2(Address_w-1)的结果取整之前,还包括:
判断所述第一数据深度是否大于预设阈值,若否,则终止拼接。
4.一种块存储器拼接模块,其特征在于,包括:
RAM块数量计算单元,用于根据待处理数据地址的第一数据位宽、第一数据深度计算拼接所用的RAM块的数量;
判断位选取单元,用于对C/2(Address_w-1)的结果取整,若取整后的值等于所述第一数据位宽,则选取所述判断位的位数CS为1,所述判断位的取值为0或1,其中,C为单个RAM的容量,Address_w为第一地址位宽;若取整后的值不等于所述第一数据位宽,则选取所述判断位的位数CS为2,所述判断位的取值为00、01、10或11;
RAM分配单元,用于根据所述判断位的位数确定RAM区的数量为2CS,并使所述RAM块平均分配到2CS个RAM区中;当所述判断位的位数CS为1,所述判断位的取值为0或1时,每一个RAM区的数据长度为D=C/(2Address_w-1),地址范围为0-Address_w-2;当所述判断位的位数CS为2,所述判断位的取值为00、01、10或11时,每一个RAM区的数据长度为D=C/2(Address_w-2),地址范围为0-Address_w-3;
地址选择单元,用于根据所述判断位的取值将所述待处理数据地址发送到对应的RAM区中。
5.一种存储装置,其特征在于,包括如权利要求4所述的块存储器拼接模块。
6.一种现场可编程门阵列,其特征在于,包括如权利要求5所述的存储装置。
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