[发明专利]一种半透明钙钛矿太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种半透明钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）利用超快激光在含透明导电层的基板上划线，剥落切线上的透明导电层；所述利用超快激光在透明导电层上划线的加工参数为：皮秒模式，重复频率为200~500 kHz，激光功率为14~15 W，振镜扫描速度为900~1000 mm/s，刻蚀线宽度为30 μm，刻蚀线间距为0.4~0.5mm；

（2）清洗基板，在干净的透明导电层上依次沉积功能层，所述功能层从下往上依次是电子传输层、钙钛矿吸光层和空穴传输层；然后利用超快激光在功能层上划线，剥落切线上的功能层且不损伤透明导电层，所述功能层上划线的位置与步骤（1）所述透明导电层上划线的位置需要相错开；所述利用超快激光在功能层上划线的加工参数为：飞秒模式，重复频率为200k Hz，激光功率为12 ~15W，振镜扫描速度为800 mm/s，刻蚀线宽度为0.1 mm，填充间距为0.02 mm；

（3）清洗基板，在干净的功能层上沉积金属电极，然后利用超快激光在金属电极层和功能层上划线，剥落切线上的金属电极层和功能层，且不损伤透明导电层，所述金属电极层和功能层上划线的位置与步骤（1）所述透明导电层上划线的位置、步骤（2）所述功能层上划线的位置均需相错开；切线完成后，即制备得到半透明钙钛矿太阳能电池；所述利用超快激光在金属电极层和功能层上划线的加工参数为：皮秒模式，重复频率为200 kHz，激光功率为10 ~13W，振镜扫描速度为1500~2000 mm/s，刻蚀线宽度为0.1 mm，填充间距为0.02 mm。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述含透明导电层的基板选自如下的一种：含掺杂氟的SnO₂（FTO）镀层的透明导电玻璃基板、含氧化铟锡（ITO）镀层的透明导电玻璃基板、含氧化铟锡（ITO）镀层的聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）透明导电塑料基板和含氧化铟锡（ITO）镀层的聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）透明导电塑料基板。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述电子传输层为二氧化钛、氧化锡、氧化锌、或有机电子传输材料。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的钙钛矿吸光层为有机无机杂化钙钛矿半导体薄膜，选自如下组分：MAPbI₃、FAPbI₃、FA_0.85MA_0.15Pb(I_0.85Br_0.15)₃、Cs_0.05(FA_0.85MA_0.15)_0.95Pb(I_0.85Br_0.15)₃，其中MA是指甲胺，FA是指甲脒。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层为spiro-OMeTAD、P3HT、或PEDOT:PSS。

6.根据权利要求1所述的制备方法，所述的金属电极为金电极、银电极、或铜电极。