[发明专利]金属互连结构及其制作方法有效
申请号: | 201811308906.4 | 申请日: | 2018-11-05 |
公开(公告)号: | CN109087886B | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | 薛广杰;李赟;周俊 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/535 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 绝缘层 衬底 金属互连结构 开口 顶表面 介质层 金属层 半导体器件 绝缘层覆盖 凹槽侧壁 凹槽顶部 尺寸增大 金属填充 孔洞形成 悬垂 位置处 侧壁 刻蚀 制作 暴露 | ||
1.一种金属互连结构的制作方法,其特征在于,包括:
提供一衬底,在所述衬底上依次形成第一绝缘层与介质层;
形成多个第一凹槽在所述介质层内,所述第一凹槽暴露出部分所述第一绝缘层;
形成第二绝缘层,所述第二绝缘层覆盖所述第一凹槽的侧壁及底部;
刻蚀所述第一凹槽内的所述第二绝缘层、所述第一绝缘层以及部分所述衬底,以形成第二凹槽,所述第二凹槽侧壁上的所述第二绝缘层的顶表面低于所述第二凹槽的顶表面,使得所述第二凹槽顶部的开口尺寸大于所述第二凹槽其余位置处的开口尺寸;以及,
形成金属层在所述第二凹槽内。
2.如权利要求1所述的金属互连结构的制作方法,其特征在于,形成金属层之前还包括:形成阻挡层在所述第二凹槽的侧壁及底部。
3.如权利要求2所述的金属互连结构的制作方法,其特征在于,形成金属层的步骤包括:
填充金属层在所述第二凹槽内,且所述金属层覆盖所述介质层;
平坦化所述金属层至暴露出所述第二绝缘层。
4.如权利要求1所述的金属互连结构的制作方法,其特征在于,所述第一绝缘层与所述第二绝缘层的材质相同。
5.如权利要求4所述的金属互连结构的制作方法,其特征在于,所述第一绝缘层与所述第二绝缘层均为氮化硅层,所述介质层为氧化硅层。
6.如权利要求1所述的金属互连结构的制作方法,其特征在于,形成多个第一凹槽的步骤包括:
依次形成硬掩膜层与图形化的光刻胶层在所述介质层上;
以所述图形化的光刻胶层为掩膜,刻蚀所述硬掩膜层以形成多个暴露所述介质层的开口;
去除所述图形化的光刻胶层;
以形成有开口的所述硬掩膜层为掩膜,刻蚀所述介质层,以形成多个第一凹槽;以及,
去除所述硬掩膜层。
7.如权利要求6所述的金属互连结构的制作方法,其特征在于,对所述介质层进行过刻蚀,以完全去除所述介质层而形成第一凹槽。
8.一种金属互连结构,其特征在于,包括:
衬底;
依次位于所述衬底上的第一绝缘层与介质层,且所述介质层内形成有多个暴露出所述第一绝缘层的第一凹槽;
第二绝缘层,位于所述第一凹槽的侧壁,且所述第二绝缘层的顶表面低于所述第一凹槽的顶表面;
多个第二凹槽,形成于所述第一凹槽内,贯穿所述第一绝缘层且延伸至所述衬底内,并且所述第二凹槽顶部的开口尺寸大于所述第二凹槽其余位置处的开口尺寸;以及,金属层,位于所述第二凹槽内。
9.如权利要求8所述的金属互连结构,其特征在于,还包括:阻挡层,位于所述第二凹槽的侧壁及底部。
10.如权利要求8所述的金属互连结构,其特征在于,所述第一绝缘层与所述第二绝缘层的材质相同。
11.一种金属互连结构,采用如权利要求1所述的金属互连结构的制作方法制成,其特征在于,包括:
衬底;
依次位于所述衬底上的第一绝缘层与介质层,且所述介质层内形成有多个暴露出所述第一绝缘层的第一凹槽;
第二绝缘层,位于所述第一凹槽的侧壁;
多个第二凹槽,形成于所述第一凹槽内,贯穿所述第一绝缘层且延伸至所述衬底内;以及,金属层,位于所述第二凹槽内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造