[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

栅电极，位于基底上；

上覆盖图案，位于栅电极上；以及

下覆盖图案，位于栅电极与上覆盖图案之间，

其中，下覆盖图案包括：

第一部分，位于栅电极与上覆盖图案之间；以及

多个第二部分，从第一部分延伸到上覆盖图案的对应的侧表面上，

其中，上覆盖图案覆盖第二部分中的每个的最顶表面。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，上覆盖图案的至少一部分填充下覆盖图案的第二部分之间的空间。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，下覆盖图案的第二部分中的每个的最顶表面在竖直方向上相对于基底位于比上覆盖图案的顶表面的高度低的高度处。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

层间介电层，位于基底上并覆盖栅电极、下覆盖图案和上覆盖图案，

其中，上覆盖图案的顶表面与层间介电层的顶表面共面，并且

其中，下覆盖图案的第二部分中的每个的最顶表面在竖直方向上相对于基底位于比层间介电层的顶表面的高度低的高度处。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述上覆盖图案包括：

主体，具有第一宽度；以及

突起，具有比第一宽度小的第二宽度，突起从主体朝向基底延伸，

其中，突起置于下覆盖图案的第二部分之间，并且

其中，主体覆盖第二部分中的每个的最顶表面。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

多个接触件，在栅电极的相对侧上电连接到基底，

其中，栅电极、下覆盖图案和上覆盖图案构成栅极结构，

其中，栅极结构包括：

第一区，其相对侧设置有接触件；以及

第二区，其相对侧设置为不具有接触件，并且

其中，上覆盖图案的主体在栅极结构的第一区处与接触件接触。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

多个栅极间隔件，位于栅电极的对应的侧表面上，

其中，在栅极结构的第二区处，下覆盖图案的第二部分中的每个置于上覆盖图案的突起与栅极间隔件中的对应的栅极间隔件之间，并且

其中，上覆盖图案的主体与栅极间隔件接触。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

多个栅极间隔件，位于栅电极的对应的侧表面上；以及

层间介电层，位于基底上并覆盖栅电极、下覆盖图案、上覆盖图案、多个接触件和多个栅极间隔件，

其中，上覆盖图案跨过下覆盖图案与栅极间隔件间隔开，并且

其中，下覆盖图案的第二部分中的每个和上覆盖图案的主体在栅极结构的第二区处与层间介电层接触。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，栅极间隔件中的每个的最顶表面与下覆盖图案接触。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，栅电极是第一栅电极，

其中，上覆盖图案和下覆盖图案在第一栅电极上构成多层覆盖图案，

其中，半导体装置还包括：

第二栅电极，位于基底上；以及

附加覆盖图案，位于第二栅电极上，

其中，附加覆盖图案具有与多层覆盖图案的结构不同的结构，并且

其中，与第一栅电极叠置的第一沟道区在水平方向上的第一沟道长度小于与第二栅电极叠置的第二沟道区在水平方向上的第二沟道长度。