[发明专利]存储器装置有效
申请号: | 201811312198.1 | 申请日: | 2018-11-06 |
公开(公告)号: | CN111145800B | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 中冈裕司 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 罗英;臧建明 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 装置 | ||
本发明提供一种存储器装置,包括数据接收器、闩锁驱动器以及电压偏移器。数据接收器操作在第一电压,用以接收致能信号、参考信号以及输入数据信号,并依据第一电压输出内部数据信号。闩锁驱动器接收写入选择信号以及内部数据信号,并依据第一电压闩锁内部数据信号,以及依据第二电压输出至少一闩锁数据信号。电压偏移器依据第二电压接收至少一闩锁数据信号,并依据至少一闩锁数据信号以产生至少一输出数据信号,其中电压偏移器依据第一电压设定至少一输出数据信号的电压值,其中第一电压的电压值大于第二电压的电压值。
技术领域
本发明涉及一种存储器装置,尤其涉及一种可提升操作速度并且降低功率消耗的存储器装置。
背景技术
在现有的低功率双倍数据速率4X(low power double data rate 4X,LPDDR4X)的标准的半导体存储器装置中,出于降低功率消耗的目的,会设计使存储器装置中数据接收器具有较低的操作电压(例如是0.6伏特),而存储器装置的周遭电路则会设计具有较高的操作电压(例如是1.1伏特)。
然而,当以较低的操作电压来驱动存储器装置的数据接收器时,会因电压太低而导致存储器装置速度下降的问题,此外,由于存储器装置的其他周遭电路均是以较高的操作电压来进行驱动,会使得存储器装置的降低功率消耗效果不显著。因此,如何对存储器装置的数据接收器及周遭电路进行设计则成为一个重要的课题。
发明内容
本发明提供一种存储器装置,可通过不同电压值的操作电压来分别驱动数据接收器及其他周遭电路,藉此提升存储器装置的操作速度,并达到降低存储器装置功率消耗的目的。
本发明的存储器装置,包括数据接收器、闩锁驱动器以及电压偏移器。数据接收器操作在第一电压,用以接收致能信号、参考信号以及输入数据信号,并依据第一电压输出内部数据信号。闩锁驱动器耦接至数据接收器,用以接收写入选择信号以及内部数据信号,并依据第一电压闩锁内部数据信号,以及依据第二电压输出至少一闩锁数据信号。电压偏移器耦接至闩锁驱动器,依据第二电压接收至少一闩锁数据信号,并依据至少一闩锁数据信号以产生至少一输出数据信号,其中电压偏移器依据第一电压设定至少一输出数据信号的电压值,其中,第一电压的电压值大于第二电压的电压值。
基于上述,本发明通过电压值较大的第一电压来驱动数据接收器,并通过将闩锁驱动器及电压偏移器分级驱动的方式,分别以第一电压驱动闩锁驱动器来闩锁内部数据信号,再以电压值较小的第二电压驱动闩锁驱动器以输出至少一闩锁数据信号,接着分别以第二电压来驱动电压偏移器来接收至少一闩锁数据信号,再通过第一电压来驱动电压偏移器以设定至少一输出数据信号的电压值,藉此提升存储器装置的操作速度,并达到降低存储器装置功率消耗的目的。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1示出本发明一实施例的存储器装置的电路方块示意图;
图2示出本发明另一实施例的存储器装置的电路方块示意图;
图3示出本发明图2实施例的闩锁驱动电路的内部电路结构示意图;
图4示出本发明图2实施例的闩锁驱动电路的另一实施方式的内部电路结构示意图;
图5示出本发明图2实施例的电压偏移电路的内部电路结构示意图。
附图标记说明
100、200:存储器装置
110、210:数据接收器
120、220:闩锁驱动器
130、230:电压偏移器
210a:反向电路
221、222:闩锁驱动电路
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