[发明专利]晶圆对位的方法有效
申请号: | 201811312276.8 | 申请日: | 2018-11-06 |
公开(公告)号: | CN109378278B | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 董健;黄仁德;刘命江 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/68;G01B11/00;G01R31/26 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 薛异荣;吴敏 |
地址: | 223302 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 对位 方法 | ||
1.一种晶圆对位的方法,其特征在于,包括:
提供测试机台,所述测试机台中具有扫描探头;
提供晶圆,所述晶圆包括第一切割道区,第一切割道区的延伸方向适于与所述扫描探头对晶圆的扫描方向平行,所述晶圆包括位于所述第一切割道区内的若干分立的灰阶对比区域,各灰阶对比区域包括主灰阶对比区和紧邻所述主灰阶对比区的附非标记区,所述主灰阶对比区包括标记图形区和位于所述标记图形区周围的主非标记区;
选择位于同一条第一切割道区内的任意两个灰阶对比区域分别作为第一测试区域和第二测试区域;
将所述晶圆放置在测试机台中;
将所述晶圆放置在测试机台中后,所述扫描探头发射测试入射光至晶圆的第一测试区域表面和第二测试区域表面,并获取自第一测试区域中主灰阶对比区表面的第一测试反射光、自第一测试区域中附非标记区表面的第二测试反射光、自第二测试区域中主灰阶对比区表面的第三测试反射光、以及自第二测试区域中附非标记区表面的第四测试反射光;
获取第一测试反射光相对于第二测试反射光的第一相对灰阶度;
获取第三测试反射光相对于第四测试反射光的第二相对灰阶度;
根据第一相对灰阶度和第二相对灰阶度的差异,判断晶圆的对位情况;
其中,所述主灰阶对比区的边缘形状呈矩形;所述主灰阶对比区包括若干子主灰阶对比区,所述若干子主灰阶对比区排列成N行*M列的矩阵;
所述附非标记区的边缘形状呈矩形;所述附非标记区包括若干子附非标记区,所述若干子附非标记区排列成N行*M列的矩阵;
获取第一测试反射光相对于第二测试反射光的第一相对灰阶度的方法包括:获取第一测试反射光中对应第k行第j列子主灰阶对比区的第一光强,k大于等于1且小于等于N,j大于等于1且小于等于M;获取第二测试反射光中对应第k行第j列子附非标记区的第二光强;根据第二光强与第一光强的差值,获取对应第一测试区域中第k行第j列子主灰阶对比区的第一相对灰阶度;
获取第三测试反射光相对于第四测试反射光的第二相对灰阶度的方法包括:获取第三测试反射光中对应第k行第j列子主灰阶对比区的第三光强;获取第四测试反射光中对应第k行第j列子附非标记区的第四光强;根据第三光强与第四光强的差值,获取对应第二测试区域中第k行第j列子主灰阶对比区的第二相对灰阶度;
所述第一相对灰阶度和第二相对灰阶度的差异的获取方法包括:对应第一测试区域中第k行第j列子主灰阶对比区的第一相对灰阶度,减去对应第二测试区域中第k行第j列子主灰阶对比区的第二相对灰阶度,得到第一测试区域中第k行第j列子主灰阶对比区的第一相对灰阶度与第二测试区域中第k行第j列子主灰阶对比区的第二相对灰阶度之间的差异;
根据第一相对灰阶度和第二相对灰阶度的差异,判断晶圆的对位情况的过程包括:获取第一区域数和第二区域数;第一区域数为第一测试区域中第k行第j列子主灰阶对比区的第一相对灰阶度与第二测试区域中第k行第j列子主灰阶对比区的第二相对灰阶度之间的差值小于阈值时,对应的第一测试区域中子主灰阶对比区的数量;第二区域数为第一测试区域中第k行第j列子主灰阶对比区的第一相对灰阶度与第二测试区域中第k行第j列子主灰阶对比区的第二相对灰阶度之间的差值大于阈值时,对应的第一测试区域中子主灰阶对比区的数量;若第一区域数大于等于第一区域数和第二区域数量总和的预设比例,则判断晶圆对位成功;若第一区域数小于第一区域数和第二区域数量总和的预设比例,则判断晶圆对位失败。
2.根据权利要求1所述的晶圆对位的方法,其特征在于,所述预设比例为90%~100%。
3.根据权利要求1所述的晶圆对位的方法,其特征在于,第一测试区域中附非标记区的中心相对于主灰阶对比区的中心的横向距离,等于第二测试区域中附非标记区的中心相对于主灰阶对比区的中心的横向距离;
第一测试区域中附非标记区的中心相对于主灰阶对比区的中心的纵向距离,等于第二测试区域中附非标记区的中心相对于主灰阶对比区的中心的纵向距离。
4.根据权利要求1所述的晶圆对位的方法,其特征在于,所述晶圆包括切割道区,所述切割道区包括“十字”交叉的第一切割道区和第二切割道区;所述第二切割道区的延伸方向适于与所述扫描探头对晶圆的扫描方向垂直;所述第一切割道区和第二切割道区具有若干分立的切割重合区域;所述灰阶对比区域位于不同的切割重合区域中。
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