[发明专利]一种形成浅沟槽隔离的方法

权利要求书

1.一种形成浅沟槽隔离的方法，其特征在于，包括如下步骤：

S01：在衬底上形成垂直于衬底的鳍结构；

S02：以四氯化硅和氧气为刻蚀气体，对相邻鳍结构之间的衬底进行刻蚀，得到从衬底上方到下方逐渐变窄的浅沟槽隔离以及覆盖在所述鳍结构侧壁和上表面的氧化硅层；其中，刻蚀衬底的气压为150至300mTorr，刻蚀功率为260W至550W，在此刻蚀功率以及压力下，四氯化硅和氧气反应生成氧化硅层，该氧化硅层覆盖在鳍结构之上，实现对鳍结构的钝化和保护；

S03：去除上述的氧化硅层，形成位于鳍结构之间的浅沟槽隔离。

2.根据权利要求1所述的一种形成浅沟槽隔离的方法，其特征在于，所述步骤S01中形成鳍结构的具体步骤包括：

S011：在衬底上形成硬掩膜层；

S012：对所述硬掩膜层进行刻蚀，在所述硬掩膜层中形成贯穿硬掩膜层的沟槽；

S013：在上述沟槽中形成位于所述硬掩膜层侧壁上的侧墙；

S014：以所述侧墙为掩膜，对衬底进行刻蚀，形成垂直于衬底的鳍结构。

3.根据权利要求2所述的一种形成浅沟槽隔离的方法，其特征在于，所述鳍结构的侧壁与衬底表面之间的夹角大于89°。

4.根据权利要求2所述的一种形成浅沟槽隔离的方法，其特征在于，所述硬掩膜层为双层结构，由上往下依次为不定形碳层以及多晶硅层。

5.根据权利要求4所述的一种形成浅沟槽隔离的方法，其特征在于，所述多晶硅层的厚度为至所述不定形碳层的厚度为至

6.根据权利要求2所述的一种形成浅沟槽隔离的方法，其特征在于，所述步骤S012中对所述硬掩膜层进行干法刻蚀，刻蚀气体包括氯气和氧气。

7.根据权利要求1所述的一种形成浅沟槽隔离的方法，其特征在于，所述浅沟槽隔离侧壁与衬底表面之间的夹角为87°。

8.根据权利要求1所述的一种形成浅沟槽隔离的方法，其特征在于，所述步骤S03中采用湿法刻蚀去除氧化硅层。

9.根据权利要求8所述的一种形成浅沟槽隔离的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的液体中包括热磷酸或氢氟酸。